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器件型号：BQ25756 您好！
我计划使用 BQ25756设计锂离子电池充电器(55V 10A)。 我正在对 BQ25756EVM 进行测试、以验证芯片是否兼容。 在这些测试期间、我遇到了问题。 我注意到、在升压模式运行期间、与其他 MOSFET 相比、电路板上的 Q4 MOSFET 升温更多。 当 Q1、Q2和 Q3在室温下在-70 °C 之间运行时、Q4达到94°C (在升压模式下)。 我已经尝试使用具有5V 500mA 或12V 1A 电源的 J6连接器在内部和外部驱动 MOSFET、但结果保持不变。 下面列出了该 EVM 的工作参数和 MOSFET 的 ID；
- Vsupply：45V 20A
- CV 模式负载：调整40V 用于降压、50V 用于升压运行
- 输出电压：55V
- 输出电流：10A
- IIN (最大值)：20A
- Fsw：200kHz
- 所有 MOSFET 均相同：AlphaΩ AONS66614
- MOSFET 的栅极电阻：0R
考虑到 Q4上的多边形大小和所有这些参数、是否预计 Q4会变热太多？ 如果没有、您是否有任何建议来解决此问题并降低 Q4的工作温度？ 提前感谢您的宝贵支持。
此致、
