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团队、您好!
我们将对基于 TI LM74502H-Q1 IC 的适配器输入电源使用过压和反极性电路。
适配器电压为+12V。
负载电流为12A。
器件将100%开启时间。
我们不计划对 MOSFET 使用任何主动冷却或散热器。
您能否提供有关 MOSFET CSD18542KTT 是否适合我们的应用的建议?
另外、在寻找一些 MOSFET 时、我们有太多参数、如 ID 芯片限制、ID 封装限制和 ID 连续电流。
所有电流值都不同。
我们需要为设计选择哪种值?
您能提供一些展示如何检查 MOSFET SOA 的视频或文档吗?
正在寻找您的回复。
Sv、您好!
感谢您关注 TI FET。 如果 MOSFET 需要通过汽车认证、则 TI 不提供任何通过汽车认证的 FET。 CSD18542KTT 是 D2PAK 中的60V 4mΩ NFET、是一种大型、成本更高的器件。 由于适配器电压仅为12V、因此您可以使用成本较低的25V 或30V FET。 CSD17578Q5A 采用5x6mm SON 封装、尺寸更小且更具成本效益。 如果此特定器件不适用于您的应用、则 TI 在此封装中有许多产品。
更多有关 TI 如何在 FET 数据表、SOA 图中指定连续电流规格以及使用 SOA 图的信息、请查看下面链接中的技术文章。
连续电流额定值: https://www.ti.com/lit/ta / ssztcp0/ssztcp0.pdf
MOSFET SOA 图: https://www.ti.com/lit/ta / ssztcr5/MOSFET ssztcr5.pdf
在设计中使用 SOA 图: https://www.ti.com/lit/an/sluaao2/sluaao2.pdf
最后、LM74502H-Q1产品文件夹的"设计和开发"选项卡下有一个 FET SOA 裕度计算器。 如果您有其他问题、敬请告知。
此致、
约翰·华莱士
TI FET 应用