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[参考译文] CSD18540Q5B：CSD18540与 LM74800QDRRRQ1驱动器 IC 搭配使用

admin
Guru**** 2386600 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD18540Q5B
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1355403/csd18540q5b-csd18540-using-with-the-lm74800qdrrrq1-driver-ic

器件型号：CSD18540Q5B
主题中讨论的其他器件： CSD

TI 团队、您好！

我想介绍在使用 LM74800QDRRRQ1驱动器 IC 的电路中、采用共漏极配置的两个 MOSFET 背对背 MOSFET 之间观察到的压降差异。 应用到以下配置。

第一种配置中采用了 PSMN 系列 NXP MOSFET、还没有发现明显的压降。

另一方面、当在相同原理图中使用 TI CSD18540Q5BT MOSFET 时、我观察到、在高达2A 的电流下、MOSFET 两端的压降为0.6VDC 至0.7VDC。
您能解释一下为什么同一电路中的这两个 MOSFET 之间的压降存在差异吗？

谢谢。
穆尔西

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    TI__Guru**** 2386600 points
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    您好 Murthy、

    感谢您关注 TI FET。 听起来其中一个 FET 可能没有导通、而您是在测量其体二极管的正向压降。 您能否检查两个 FET 的 VGS (DGATE 和 HGATE)以确保它们都被驱动到至少4.5V？ CSD18540Q5B 是一款低导通电阻 FET、当其导通并传导2A 电流时、压降应非常小。 请告诉我您找到了什么。

    此致、

    约翰·华莱士

    TI FET 应用

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    TI__Guru**** 2386600 points
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    您好 Murthy、

    跟进以查看您的问题是否已解决。 请告诉我。

    谢谢。

    约翰

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    TI__Guru**** 2386600 points
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    您好、先生！

    我写信询问 LM74801QDRRRQ1及其 C 引脚(引脚12)的行为。

    在我的测试中、我观察到在 C 引脚未连接到外部 MOSFET 的共漏极时出现了压降。 虽然将 C 引脚短接至共漏极可解决该问题、但该配置引起了反向电流阻断的问题。

    我的理解是、理想二极管控制器必须具有未连接的 C 引脚才能实现反向电流阻断功能。

    您能否说明 C 引脚的建议连接、并建议如何在避免压降问题的同时确保适当的反向电流阻断？

    感谢您投入宝贵的时间给予大力支持。

    此致、
    穆尔西

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    TI__Guru**** 2386600 points
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    您好 Murthy、

    C 引脚应连接到公共漂移点以确保正常运行

    请纠正 C 连接并检查压降。  

     NXP MOSFET 的器件型号是多少

    此致

    勒凯什

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    TI__Guru**** 2386600 points
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    您好、Rakesh、

    如何在 LM74801QDRRRQ1 IC 中启用反向电流阻断功能？

    数据表提到 C 端子悬空。 附件是参考屏幕截图(C 端子悬空)。

    如果 C 端子悬空、PSMN 系列 MOSFET 和 CSD18540Q5BT MOSFET 的行为是否相似？


    谢谢。
    穆尔西

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    TI__Guru**** 2386600 points
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    尊敬的 Murthy：

    要在 LM74801QDRRRQ1 IC 中启用反向电流阻断、您必须将 C 端子连接到 FET 的漏极、如图所示。

    是的、如果 C 端子悬空、则 PSMN 和 CSD FET 的行为类似。

    此致、

    S·迪尔