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[参考译文] LM5146-Q1：在应用中查询

admin
Guru**** 2539500 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5146

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1357668/lm5146-q1-query-on-application

器件型号：LM5146-Q1
主题中讨论的其他器件：LM5146

您好！

我对 LM5146有如下疑问：

1) 闸极电阻值是否影响自适应死区时间控制的功能? 您能否分享任何关于同一个文件? 较高的栅极电阻值是否会缩短死区时间？
2) 2) LM5146的参考设计中既没有外部自举二极管、也没有自举电容器串联电阻。 在 自举电容充电时、内部自举二极管能否承受短时高电流？

谢谢。
桑迪普。

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    TI__Guru**** 2539500 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Sandeep、您好！

    自举二极管位于内部、对于100nF 的典型自举电容器、应该没有任何问题。 从0V 为引导电容器充电时、不需要更高的引导电容值、从而可能在启动时使二极管承受应力。

    就仅建议在高侧 FET 栅极使用的栅极电阻而言、它可能会在死区时间将 LO 关断增加至 HO (因为 FET 上的 HO 电压较慢)。 然而、相反过渡应在很大程度上不受影响、因为会检测到 SW 电压变为低电平。 我建议将电阻器与引导电容器串联、以限制高侧开启。 EVM 对于该电阻器的值为2.2Ω。

    此致、

    时间

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    TI__Guru**** 2539500 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！
    1) 正如我提到的,你是否有任何文档来研究 如何自适应死区时间工作?
    2) 2) 即使栅极电阻为零且 OUT 影响其可靠性、控制器是否会限制栅极电流？  

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    TI__Guru**** 2539500 points
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    1)-请参阅数据表中的说明。

    2)-栅极环路中的电流自然受到栅极驱动器 Rdson 和 FET 内部栅极电阻的限制。 从这一角度来看，没有任何问题。