[参考译文] TLV1117LV：TLV1117LV LDO 布局查看/注释

参考原理图：

期待您的指导。

您好！

感谢您申请原理图和布局审查。  

请允许我在2-3个工作日内审核您的申请。

此致、

汉娜

您好！

总体而言、根据规格、原理图和布局看起来不错。

我只有几个建议:

对于原理图：

一切看起来都符合规格。

对于布局：  

我们建议增加 GND 平面以提高热性能。

此外、我们建议在输入端使用坚固的电源平面。

如果您有任何其他问题或疑虑、敬请告知。

此致、

汉娜

此外、我们建议在输入端使用坚固的电源平面。

[/报价]

1.您能否详细说明这项建议？

2.我希望大家看看从去耦角度标注为"固态电源回路"的 VOUT 平面形成的"回路形状"。

1.我们建议在 VIN 上使用较粗的布线/A 平面以帮助提高 LDO 性能。

[/报价]

好的、明白了、我会增加到 VIN 平面的迹线、

2.从去耦的角度来看,固态电源回路看起来不错。  

[/报价]

因此、为了确认、从 VOUT 的另一侧形成环路并为 MCU/BAW 振荡器供电的实心布线不存在问题-此处没有环路问题？

3. GND 引脚(2)是否与 GND 平面相连？ 到目前为止、它似乎与任何东西都没有关系。

[/报价]

是的、我要为 C3的底部接地平面添加2个过孔、感谢您指出。

[/quote]

[/quote][/quote]

2.我认为固态电源回路没有任何直接问题。

您好 Hannah：

这也许是基本的-但是为了获得更好的性能、我们是否需要将 TLV1117LV 的其他 Vout 引脚(即 PIN2)去耦？ 您能提供相关指导吗？

您的设计看起来很好。 以下是此器件的典型布局：  

在布局中、我们建议输入和输出电容器尽可能靠近器件、这看起来像您在设计中完成的。  

您好 Hannah：

请指导我们了解反向电流保护的要求-我的意思是为了实现基于外部肖特基二极管的反向保护、Cout 必须有多大？ 由于布板空间有限-鉴于 Cout 为10uF、如果我们需要实施反向电流保护、我们希望您提供有价值的实用指南。

您好！

为便于返工、使用0805输出电容器可能很有价值。 0805电容器应可与外部肖特基二极管正常配合使用。  

此致、

汉娜

您好 Hannah：

我的问题是、我们需要/高于哪个输出电容值才能强制使用外部肖特基二极管？

例如、一个假设可能是：最小1uF 的输出电容器可能不需要肖特基二极管以保证反向电流的安全性、但可能需要10uF 的输出电容器以确保安全运行。

请分享一些有关 TLV1117LV LDO 这方面的实用见解。

您好！

请参阅 《LDO 基础知识：防止反向电流》 、了解更多信息。 我不确定您打算使用哪些肖特基二极管布局、但我相信本文可以解答您的一些问题。

此致、

汉娜  

您好 Hannah：

当在两种配置中的任何一种配置中使用肖特基二极管时、我的问题非常具体-当我们使用10uF Cout MLCC 时、我们是否需要它？

我们没有用于容纳此二极管的布板空间、因此我们提出了一个疑问。 请分享具体指南或允许其他 E2E 工程师根据此帖子中分享的详细信息来解答我们的疑问。

您好 Hannah：

感谢您提供最新信息、这对我们来说是更具可行性的见解、将其融入到我们的设计中。 感谢您的帮助！

当然需要。 我现在将结束这一主题。 如果您有任何其他问题或疑虑、敬请告知。

此致！

汉娜