[参考译文] TPS62872-Q1：低侧 FET 负电流限制、直流

您好 Reema：

感谢您联系我们。

低侧 FET 负电流限制与低侧 FET 谷值电流限制具有类似的功能(术语略有不同)。 请参阅随附的.ppt 文件、以显示短路或过流保护期间的低侧 FET 负电流限制。

此外、高侧和低侧 FET 电流限值与 MOSFET 的最大电流能力不直接相关。 设置 FET 电流限制是为了确保转换器不会在满负载条件下的 Vin、Vout、FSW、电感器和 IC 过程变化中触发具有足够余量的过流保护。 通常、MOSFET 的电流能力可归因于器件在不超过最大结温(Tj)的情况下能够处理的电流量、并且不会导致 IC 出现任何结构/功能故障。

我希望我能够回答您的问题。

e2e.ti.com/.../Short-ckt.-protection_5F00_Foldback_5F00_Cycle_2D00_by_2D00_cyle.pptx

此致、

Excel

您好！

感谢您的答复。

我想再澄清一点。

在另一个数据表 LM61440中,提到了低侧开关电流限制和负电流限制。 您能帮助我找出差异吗？

此外、负电流限制和负谷值电流限制是否相同？

您好 Reema：

LM61440-LS 上的低侧开关电流限制(IL)参数与 TPS62872-Q1的低侧 FET 负电流限制类似。 另一方面、负电流限制(FET-NEG)与通过低侧 IL 从 SW 到 GND 的电流有关。 当电感器电流降至0A 以下、 同时 低侧 FET 仍导通时、可能会发生此事件。 有关详细信息、请参阅下图。

此致、

Excel

您好 Reema：

Jiust 一个温柔的提醒。 如果您没有进一步的疑问、可以关闭该主题吗？

谢谢你。

此致、

Excel