[参考译文] LM7481：组件选择/设计帮助增加 HGATE 灌/拉电流

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1358780/lm7481-component-selection-design-help-to-increase-hgate-sink-source-current

器件型号：LM7481

晚上好-

我目前遇到的问题是在 LM7481的 HGATE 上并联 N 沟道 FET。问题在于、在驱动更大的负载(~60-70A)时、HGATE 引脚无法提供足够的电流来开关 FET 而不处于 FET SOA 之外、从而导致其线性区域内时过热、热失控或 FET 完全损坏。我找到了两篇文章、其中解释了您只需在 CAP 引脚和 FET 之间添加一个晶体管、电阻器和二极管布置、就可以将 HGATE 引脚的55uA 驱动能力增加到~600uA、如下图所示。

我对有关该实施的任何有助于计算、仿真、组件选择等的提示/设计参考/应用手册都很好奇。。。。

6 个月前

0 admin 6 个月前

TI__Guru**** 1646690 points

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Andrew、您好！

欢迎使用 E2E！

Q5晶体管的额定电压应>[VAUX (MAX)+ 15V]
R5电阻的值取决于您要注入到 HGATE 中的电流大小、
- 当 R5 = 0欧姆时、注入的电流将在2.7 mA 左右
- 如果您想减少注入 HGATE 的电流以减慢 HFET 的导通速度、则可以增加 R5的值。例如、如果要将注入 HGATE 的最大电流限制为500uA、则 R5 =[(Vaux (max)+15V)/500uA]
二极管 D2的额定电压应> VPRIM (最大值)

此致、

S·迪尔

0 admin 6 个月前

TI__Guru**** 1646690 points

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谢谢！正是我所需要的！祝您度过美好的一天！

0 admin 6 个月前

TI__Guru**** 1646690 points

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实际上、我还有一个关于这一点的问题。您刚才说 D2的额定值应> VPRIM (max)、但我想知道晶体管旁边的 D3。请告诉我这一点。

0 admin 6 个月前

TI__Guru**** 1646690 points

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Andrew、您好！

抱歉、我是说 D3。

此致、

S·迪尔

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