[参考译文] CSD18542KTT：正在寻找具有极低 IDSS 的 N-FET 以切换分流支路

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1357228/csd18542ktt-looking-for-n-fet-with-a-very-low-idss-to-switch-shunt-branches

您好！

我不得不选择一个 TI 器件才能开始本次讨论(CSD18542KTT)、但这可能不是我将要使用的 FET。 我想重新设计 EEVblog 提供的低负载 uCurrent。 uCurrent 使用3个分流电阻器/3个分支来测量电流：
10K 欧姆、适用于 nA 范围
uA 范围为10欧姆
mA 范围为0.01 Ω

我要创建一个自动切换 uCurrent。 这3个分支将由微控制器控制、该微控制器还将通过集成 ADC 测量电流。
我的问题是这些分支。 尤其是10k 分支。 我将使用可能使用 N-FET 在支路之间切换。 下面继续显示文本。 这是原理图。。。

我的问题是10k 分支。 如果我禁用其他分支(VGS = 0)、则流经分支2和分支3的泄漏电流必须非常低(低 IDSS)。 分支1的分流器为10k。 但是通过分支2或3的泄漏必须在皮安或 femto 安培量级以内、才能仍然保持良好的 nA 范围。 有可能吗？ 我认为我应该特别寻找具有极低 IDSS 的 N-FET。 您推荐哪种 FET？ 最大电流为2A。 电压最大值为60V。 您是否建议所有 N-FET 相同、还是应该为高电流分支选择不同的 N-FET (最大0.01 Ω/2A)？ 但该 FET 还必须具有低 IDSS。
该 IDSS 的性能如何... 如果10k 分流器处于活动状态且 IDSS 为50nA、则其他2个分支中是否会有100nA 的损耗、还是不是这种情况、因为大多数电流会通过阻值较低的10k？ 我知道、这不是一个低值、但它是否相对较小、会抵消其他支路希望具有的高电阻？
提前感谢您的帮助。

此致、
广告