PFC 器件的原理图如下所示。 设计要求：AC220V/50Hz 输入、输出直流390V 3A、开关功率晶体管 IGBT 规范为650V 20A。 目前、测试已发现该电路会烧毁 IGBT。 你能帮你找到原因和解决办法吗? 目前、我认为是电流过大造成的。 期待您的回复。 谢谢~
CH1：ISENSE CH2：GATE CH3：BUS 电压 CH4：BUS 电 流
您好、Colin、
我假设 FGH20N60SFD IGBT 已替代原理图中 Q1处的 Si MOSFET。
我认为 IGBT 故障的原因可能过热、但不是电流过大造成的。
3A x 390V = 1170W 输出功率。 在220V 交流输入下、我估计引脚大约为~1210W 左右、峰值交流输入电流大约为7.78A。
从 IGBT 数据表的图17可以看出、65kHz 下每个周期的总开关能量约为~0.24mJ、这在线路峰值处导致15.6W 的开关损耗。
当然、线路周期中电流较低时的损耗会下降、因此实际 平均开关损耗不是很高、但其中增加了导通损耗。
此外、对于10欧姆以外的 Rg、图16指示了其他 Rg 值的开关损耗如何变化。
我没有计算导通损耗、但建议您通过检查 IGBT 的温升来确保其在控制范围内。
注意：如果传导损耗远低于开关损耗、我建议选择一个较小的 IGBT、以换取更多的传导损耗来减少开关损耗。
导通损耗随负载下降而下降、但开关损耗仅取决于频率、在轻负载下不会下降。
此致、
乌尔里希
感谢您的答复。
目前、IGBT 已被替换为 SGT30T60SDM1P7、替换为650V 30A。 开关损耗如下图所示。 在之前的测试中发生了一种严重的现象、例如二极管 D1、IGBT Q1以及 Risense R35和 ISENSE 引脚全部损坏；重新焊接并测试一段时间后、IGBT 仍然烧毁、而其他元件未烧毁。 这样做的原因可能是什么？ 更换 IGBT 能否解决该问题？ 目前、IGBT 替代产品是 RGW40TS650D
谢谢~
尊敬的 Ulrich：
感谢您的答复。
图1显示了 IGBT RGW40TS65DGC13作为开关的驱动波形 CH1 (满载)；
图2显示了作为开关的 IGBT FGH20N60SFD 的驱动波形 CH1 (满载)；
图3显示了作为开关的 IGBT STF24N60M2的驱动波形 CH1 (轻负载)；
目前已发现 FGH20N60的驱动电压部分较低。 该较小的驱动电压是否会导致 IGBT 损坏？ RGW40T65的驱动电压波形相对稳定、STF24N60没有测试过满载时的波形；我也看到过 IGBT 的温升、影响不应该很大
您能提供一些故障排除建议？谢谢~
图1： IGBT RGW40TS65DGC13 CH1 Vgate CH2 ：VDS CH3：ISD (源极-接地)
图2： IGBT FGH20N60SFD CH1 Vgate CH2 ：VDS CH3：ISD (源极-接地)
图3： IGBT STF24N60M2 CH1 Vgate CH2：VDS CH3：ISD (源极-接地)
