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器件型号：TPS55288 您好！
我们发生了 TPS55288 MOSFET 损坏问题、您能否添加我的朋友？
我将通过原理图和布局供您查看、以检查是否存在导致此问题的可能原因。 谢谢！
杰夫
尊敬的 Jeff：
感谢您提供的文件和波形。
MOSFET 损坏的故障率是多少？ 客户是否能够在发生故障时探测 DR1H、DR1L 和 SW1的波形？
他们是否可以在5ns/div 内将波形放大？
关于原理图：
1.对于 EC16、我在网上找不到数据表、能不能和我分享一下、我可以检查一下 COMP 参数。 或者、客户也可以通过观察负载瞬态期间的输出电压纹波来检查相位裕度、如下所述的注释。
https://www.ti.com/lit/pdf/slva381
2.建议更改 R538=R537=0欧姆；
3.输入电压范围、输出电压范围和最大输出电流是多少？ 建议使用较高的 R555值设置较低的平均电感器电流限值。
4.我也没有找到 L45的信息、它的饱和电流是多少？ 建议选择饱和电流大于平均电感器电流限制值的电感器。
关于布局、它看起来很差、尤其是使用 GND 连接的释放连接时、这会在电源环路中引入较大的寄生参数并导致更高的电压尖峰。
1.对所有 GND 连接均使用实心连接。
2.在 Vin 和 GND 网络附近添加0.1uF/0402陶瓷电容。
3. 在 Vout 和 GND 引脚附近增加一个0.1uF/0402输出陶瓷电容器。 并对 GND 连接使用实心连接。
4.使用开尔文连接进行 ISP 和 ISN 连接。
5.建议在底层的 Vout 过孔和 GND 平面附近再添加一个0.1uF/0402陶瓷电容器。
BRS、
布莱斯
