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大家好、
我们的 LMG3522R050 VSD spce 比竞争对手强(竞争对手大约为3V @15A)。
您能解释一下原因吗？
此致、
林市
尊敬的 Hayashi-San：
GaN 器件没有体二极管、因此当反向导通时 、电流会以不同于 Si 或 SiC FET 中的路径流动。 这将影响我们的 VSD 压降。
此致！
凯尔
