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器件型号：TPSI3050 您好、团队成员：
我正在尝试使用 TPSI3050S 来驱动功率 MOSFET、以控制电源线路。 我们应用的预期目标是100%开启。
从数据表中 可以得出最大占空比是93%、我希望在剩余的7%时间内知道 EN 引脚和 VDRV 引脚的逻辑状态。
您好、PREMA：
感谢在 E2E 上联系我们的团队！ 请勿使用 TPSI3050的 S 型号、使用常规 TPSI3050。 在考虑驱动器开关时序时、您可以忽略电源传输占空比。 如果 EN 为100%开启、 VDRV 将为100%开启。
我们可以将开关 MOSFET 建模为电容器(CVDRV)充电和放电、该值由总栅极电荷(Qg)除以驱动器电压(VDRV)决定。 每次我们开启 MOSFET 时、这就等同于将 CVDRV 充电 至10V。每次我们关闭 MOSFET 时、我们都会对 CVDRV 进行放电。
当 TPSI305x-Q1将 VDRV 驱动为高电平时、它基本上会将 VDDH 连接到 VDRV。 TPSI305x-Q1将 VDRV 驱动为低电平时、会将 VDRV 拉至 VSSS。 峰值拉电流和灌电流(1.5A/3.0A)可以估算上拉/下拉的内部电阻。
首次 为器件供电时、电源传输将为 CDIVx 充电。 当您打开驱动器时、它会 通过 CDIVx 为 CVDRV 充电。 CDIVx 的 电压下降、这是因为所有电荷必须与 CVDRV 共用。 然后、功率传输需要补充 CDIVx 中的电荷。 压降在 计算器工具中以压降的形式显示。 因此、将 MOSFET 打开 一次 6秒、6天或6000天都需要相同的电量。
此致、
T·陈
固态继电器|应用工程师
您好，Tilden，
感谢您的答复。
我们计划将 TPSI305x-Q1 (驱动器)和 IPTC011N08NM5 (MOSFET)用于我们的设计、此外、我们将使用两线模式设计并在下面随附的原理图快照。请在此原理图上检查此选定值。
MOSFET Qg = 446nC
最小和最大 VDRV 引脚电流(Iout 电流)是多少？ 我们如何计算设计的 Iout 电流？
Panasonic 为其驱动器电路推荐的栅极电阻器、如所附片段所示。 我们计划在设计中使用 TPSI305x-Q1 (驱动器)和 IPTC011N08NM5 (MOSFET)。 您能否确认我们的设计是否需要该栅极电阻器？ 如果需要、那么我们如何为我们的设计计算栅极电阻？
