主题中讨论的其他器件: UCC28070、
尊敬的所有人:
我正在尝试实现 UCC28070参考电路中基于 TL431的继电器电路。 我尝试在 LTspice 中进行类似的仿真、但无法使系统运行。 我连接电路、并以红色突出显示了该器件。 此类电路是否有任何参考。 我们也可以使用 N 沟道 MOSFET 而不是 P 沟道 MOSFET 实现。 使用 p 沟道 MOSFET 有什么特殊原因。
谢谢。此致、
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尊敬的所有人:
我正在尝试实现 UCC28070参考电路中基于 TL431的继电器电路。 我尝试在 LTspice 中进行类似的仿真、但无法使系统运行。 我连接电路、并以红色突出显示了该器件。 此类电路是否有任何参考。 我们也可以使用 N 沟道 MOSFET 而不是 P 沟道 MOSFET 实现。 使用 p 沟道 MOSFET 有什么特殊原因。
谢谢。此致、
红色框中突出显示的电路使用 TL431作为粗略比较器、在 PFC 输出电压超过~320V 时驱动 PMOS 开关。
这反过来、将+12V 电压施加到继电器线圈上以闭合其 NTC 浪涌限制电阻器周围的触点、从而在正常运行期间 NTC 中不会有功率损耗且效率更高。 此外、当下次开启发生时、NTC 仍会保持冷却。
当 PFC 输出< 320V 时、TL431 REF 输入低于2.495V 内部基准、阴极电压接近12V 的高电平。 它并不是正好为12V、因为 TL431需要 ~μ A 0.4mA 电流才能将自身偏置。 该电流在4.7K 栅极上拉 R4上的下降小于2V、因此 PMOS Q2保持关断状态。
当 Q2关断时、TP8上为0V、因此迟滞电阻器 R3对开启阈值没有影响。
一旦 Vout 上升至>~320V、TL431阴极电压会降至~2V、并向 Q2的栅极施加-10V、从而将其打开并为继电器供电。
假设饱和、D2的阳极现在为12V、D2的阴极处现在为~11.3V。 假设 REF 电压仍为~2.5V、R3上的电压为~8.8V、当进入 R10的迟滞电流为~22uA 时、REF 输入将升高~0.55V。 要关闭继电器、PFC Vout 将必须足够低、以使流经 R7、8、9的电流小于22uA。 这转换为320V 产生~70V 的压降、因此相对于 Vout 的继电器关闭阈值为~250V。
请注意、关断阈值(部分)取决于继电器偏置电压、因此该阈值 会在+12V 变化时发生变化。
使用 PMOS 可实现更简单的实现。 正如 Walter 所说、使用一个 NMOS 将反转"逻辑"、因此需要2个 NMOS、并且需要一个更复杂的驱动器使第一个 NMOS 保持关闭、因为 TL431不会下降至0V。
仔细研究后发现、PMOS 关断状态栅极电压也是如此。 使用4.7kR 上拉、根据其栅极阈值电压、它也可能无法可靠地关断。 而且、对于参数的温度变化、显然没有进行太多的计算。
我建议您参考突出显示的电路、设计一个更可靠、可重复的继电器驱动电路、此电路可以很好地控制您选择的导通和关断阈值。 可使用具有较低偏置电流的 TL431型并联稳压器(例如 ATL431)或其他一些具有类似比较器特性的类似 TI 器件。 详细的设计标准和过程超出了此论坛的讨论范围。
此致、
乌尔里希