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[参考译文] CSD19536KTT:这款 MOSFET 和其他 MOSFET 也没有热阻、因为最小的覆铜面积和1平方英寸的

Guru**** 1956055 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD19536KTT
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1364920/csd19536ktt-this-mosfet-and-other-mosfets-also-are-not-having-thermal-resistance-for-minimum-copper-and-1-sq-inch

器件型号:CSD19536KTT

此 MOSFET 的 CSD19536KTT 可以让人提供 热阻、以实现最小的覆铜布局 和1平方英寸 的焊盘布局、以便我们可以计算它们的功率耗散。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Karan、

    感谢您关注 TI FET。 TI 仅在 FET 数据表中指定了 RθJA 和 RθJC。 如以下链接上的博客所示、RθJA 是在 FET 器件在自然通风条件下(无强制对流)测得的。 RθJC 测量到"DRAIN (漏极)"选项卡。 我已经查看了其他一些供应商的 D2PAK FET 数据表、规格为 RθJA = 40°C/W、器件表面安装在1in² Ω 铜焊盘上。 它应该与 TI FET 大致相同。 如果您有任何问题、敬请告知。

    https://www.ti.com/lit/ta / ssztb80/zssztb80.pdf

    此致、

    约翰·华莱士

    TI FET 应用

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