[参考译文] TPSM53602：输入和输出电容要求

您好、Nicolas、

TPSM53602的 EVM 在降额前仅使用2 * 10uF 的电容、这对于您的应用来说应该是合适的。 此外、COUT 为44uF、但它专为最大输出电压+最高电流的最坏情况而设计。 您或许能够以更少的成本摆脱困境。

TPSM53602是 TPSM53604的不同电流修整设计、该设计还需要20uF 的电容、但也支持4A 输出电流。 我们受到了为该临界情况应用选择的电感器的限制(输入电流为4A 36V)。 您可能需要较低的输入电容、(TPSM33625只需要4.7uF + 0.1uF 的输入 C、而使用2 * 22uF 的 COUT)。

此外、TPSM33625/TLVM23625可能更适合您的设计、因为这些器件通常不需要太多电容、并且您可以将 Fsw 设置为2.2MHz。 不过、它们的效率略低于 TPSM53602。

谢谢。

安德鲁

Andrew、您好、感谢您的答复。 恐怕我需要更多信息来处理我的设计。

由于不同元件的降额会不同、因此在降额之前指示电容不太准确。 您能否确认输入电容可以在通用降压转换器中计算、方法是根据电容器提供的电流设置电压骤降变化、即 Q = C * V； C = Q / V。Q 是电流 wrt 时间的积分、即输入电容器提供的斜波电流和时间、是高侧 MOSFET 导通的时间、然后用于计算 Cin = INPUT_CURRENT * TSW * DUTY / Delta_Vin。

关于 Cout、输出电压纹波为：DeltaVout = DeltaiL * TSW /(8 * Cout)

那么我不知道它是如何依赖于输出电流和电压... 它是否与法规有关？ 设计人员能够选择折衷方案的表达式会更好。

谢谢。此致、

您好、Nicolas、

由于您已经为您选择了电感器和 MOSFET、因此模块在设计自由性方面稍微刚性一点。 没有那么多的自由,因为你认为有。 对于这些器件、我们希望它们尽可能简单、这就是我们提供包含已填充值的图表的原因。

如果2个10uF 的电容器的额定电压是所用电压的两倍、则此特定设计可实现最佳效果。 如果他们像 WebBench 中所示那样稍微降额一点就可以了。

如果您不确定因降额不同而想要使用哪些电容器、此处提供的列表可帮助您选择元件：

需要考虑的另一点是、此设计利用对称性、因此电流 Cin 产生到 TPSM53602的磁场以及从 TPSM53602 到 COUT 的电流部分抵消、以获得更好的辐射 EMI。

如果您想尝试针对您的设计优化 COUT、我强烈建议订购 EVM 并尝试使用这些值来使其正常工作。

https://www.ti.com/tool/TPSM53602EVM

谢谢。

安德鲁