工具与软件:
尊敬的 IFXer:
我们计划在半桥中设计 SiC MOSFET C3M0032120K 和 UCC5350M。 我的问题是:
1.我知道 SiC MOSFET 的 Vth.min 是1.5V、5350M 的 VCLAMP-th 是2.1V。 半桥中的寄生导通存在任何风险?
2.如果我们使用 MC 功能来消除关闭时的负电压、只需使用0V?
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工具与软件:
尊敬的 IFXer:
我们计划在半桥中设计 SiC MOSFET C3M0032120K 和 UCC5350M。 我的问题是:
1.我知道 SiC MOSFET 的 Vth.min 是1.5V、5350M 的 VCLAMP-th 是2.1V。 半桥中的寄生导通存在任何风险?
2.如果我们使用 MC 功能来消除关闭时的负电压、只需使用0V?
尊敬的郭先生:
1. VCLAMP=2V 意味着当 CLAMP 检测到低于2V 的电压时、CLAMP 引脚将以低阻抗在内部连接至 VSS。 当 V (OUT)的下降沿超过2V 时接合。 在下降沿、钳位操作将快速将剩余电压漏极至 VSS = 0V。 稍后、如果存在米勒注入、钳位将在 CLAMP 和 VSS 之间保持这种低阻抗。 这种低阻抗是防止 Vgs 达到 Vth=1.5V 的良好对策。 但是、布局电感通常是主要阻抗、如果 FET 栅极、钳位、 VSS 和源极之间的外部环路长度较长、则高频米勒电流注入将产生高阻抗。
2.是的,您应该能够单独使用米勒钳位来解决米勒电荷问题。 V (Miller)= VSS + I (Miller)* Z。 对于给定的 I (Miller)、保持低阻抗 Z 通常比向下移动 VSS 更大限度地降低 V (Miller)更重要。
此致、
肖恩