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[参考译文] BQ2970:释放过放电状态

Guru**** 2382480 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD87313DMS
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1365864/bq2970-releasing-the-over-discharge-state

器件型号:BQ2970
主题中讨论的其他器件:CSD87313DMS

您好!

我正在基于 BQ29707和 CSD87313DMS 实施电池保护电路。 由于有特殊要求、下文的原理图中介绍了 BQ29707。 我在某些特定情况下无法启用 FET。 我将描述一个希望得到一些建议的人(下面的问题)。

我的器件会将电池缓慢放电至2.8V、然后在电池组电平(VBATT - GND)上将电压降至0V。 到目前为止、一切都很好。 在这里、我将"GND"称为负电池组端子、而我将负电芯端子称为"CELL_N"(连接到 BQ29707的 VSS)。 然后、当我应用充电器时、3.0V 被施加在电池组电平(VBATT - GND)上、但是 FET 保持在关闭模式。 例如、通过 F1测量零 VBATT 电流。 电池电压(CELL_P - CELL_N)被测量至一个稳定的2.8V、所以比施加在电池组级上的3.0V 电压低0.2V。 我找到恢复它的唯一方法是使用电源在电池组级别应用>3.5V 的电压。

因此、我在释放过放电状态时似乎遇到问题。 据我所知、BQ29707应切断 CELL_P - CELL_N = VUVP = 2.8V (如前所述)、然后在 CELL_P - CELL_N = 2.8 + 100 +/-50mV 迟滞=最大2.95V 时释放。 至少在"V-高于–0.7V"时如此。 如果是、我需要确保充电器能够设法将电池电压增加150mV、以再次启用放电 FET。

-问题1:我是否了解放电 FET 正确导通的原因(我需要 CELL_P - CELL_N = 2.95V)?

为了能够将电池充电至2.95V、我假设我需要让电流通过已启用的充电 FET 和已禁用放电 FET 的体二极管。 当出现过度放电故障时、我假设充电 FET 开启、所以我需要处理的是 CSD87313DMS 体二极管。 考虑到室温(作为开始)、数据表似乎指示电流在大约0.4V 的正向电压下开始流动。

-问题2 :我是否需要应用2.8V + 3x 0.4V = 4.0V 来将电流传输到电芯并最终启用充电 FET ?  或者我认为"V–低于–0.7V"是我需要考虑的极端情况、即我假定为2.8 + 0.7 = 3.5V?

-问题3:既然这个"V-小于-0.7V"的情况据说不需要任何迟滞、那么明白它不需要正向偏置任何体二极管来首先给电池充电一点就可以了、它会立即打开放电 FET 吗?

3.5V 和4.0V 都是高电平值、因为系统希望在达到该电压之前进行引导。 然后、这还是由于我对三层式 FET 的设置为奇数、因此我的反应可能是因为我习惯了在典型设计中看到较低的值。 我假设这将是2.8 + 0.4 = 3.2V。

-问题4 :查看充电器尝试使用3.0V (低于3.2V)时,我是否应该期望3.0V 电源即使在单个 CSD87313DMS 的设置中也能很好地禁用过放电故障,因为它小于2.8V+0.4V ?

谢谢!

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好,南方能源公司

    等待很抱歉! 这绝对是一个奇怪的设置。 让我想一想,我可以在下周的星期二之前给你一个答复(美国节假日是星期一)。

    此致、

    路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Southern Engineer:

    感谢您的耐心!

    -问题1:我是否明白是什么使放电 FET 正确导通(也就是说我需要 CELL_P - CELL_N = 2.95V)?

    要从 UV 释放并启用 DSG FET、在这种情况下、您需要一个3.5V 充电器才能从 UV 释放。 此处、V-低于-0.7V、这只会在充电器电压足够大(在本例中为3.5V)时发生。

    如果充电器的电压低于此值、则必须将电池充电至迟滞以上、在本例中、迟滞可能为2.95V。 在这里、通常通过 DSG FET 的体二极管进行充电、以便为电芯电压充电、使其退出 UVP 状态、然后重新启用 DSG FET。  

    在该配置中、这可能很困难、因为每个 IC 都串联了 CHG/DSG FET。 如果将右侧的三个充电 FET 和左侧的全部三个放电 FET 组合在一起、效果会更好。

    -问题2:我是否需要应用2.8V + 3x 0.4V = 4.0V 来将电流传输到电芯并最终启用充电 FET?  或者"V–低于–0.7V"是我需要考虑的极端情况、这意味着我假定为2.8 + 0.7 = 3.5V?

    V -是的、由于所有体二极管的存在、实际上您可能必须施加这么高的电压。 您可以在每个 DSG/CHG FET 上并联一个肖特基二极管、以便在充电器上更轻松一些。 可能类似如下:

    [报价 userid="407685" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1365864/bq2970-releasing-the-over-discharge-state "]-问题3:鉴于这个"V-低于–0.7V"的情况被认为不需要任何迟滞、了解不需要正向偏置任何体二极管来首先为电池充电是否正确、只需立即打开/报价]

    可能仍然需要体二极管、因为这种情况要求电池电压至少处于 UVP 阈值电平、所以不需要任何迟滞。

    -问题4:确认充电器尝试使用3.0V (低于3.2V)、是否应该不是预期3.0V 电源能够很好地禁用过放电故障(即使在单个 CSD87313DMS 的设置中)、因为它低于2.8V + 0.4V?

    您可能需要添加肖特基二极管、还可以按照我展示图像的方式略微更改设置。 我认为这样做应该能够以低得多的充电器电压进行恢复。

    此致、

    路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙

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    很抱歉我们之前没来过这里。 但你可以相信,我们立即阅读了它,并非常高兴你的答案。 它详细回答了我们所有的问题,并指出我们有正确的理解。 我们将实施一个与您提出的解决方案类似的解决方案、但针对肖特基二极管泄漏问题桥接所有 FET。

    谢谢!