主题中讨论的其他器件:LM5145、 CSD19534Q5A
工具与软件:
我已经使用以下规格实现了电路:
1.输入电压:43V-58V
2.输出电压: 24V
3.最大输出电流:8A
~到没有(极小)负载的台式电源时、我看到的是@Δ V 100mA 43V。 此转换器设计在很小或无负载的情况下消耗4W 功率是否正常?
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工具与软件:
我已经使用以下规格实现了电路:
1.输入电压:43V-58V
2.输出电压: 24V
3.最大输出电流:8A
~到没有(极小)负载的台式电源时、我看到的是@Δ V 100mA 43V。 此转换器设计在很小或无负载的情况下消耗4W 功率是否正常?
您好、Nicolas、
我怀疑您有很大的电感器磁芯损耗和/或 FET 开关损耗。
发送完整的快速入门计算器文件、以便我们检查功率损耗: https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC
PS:假设最大输入电压为58V、LM5145 75V 版本就足够了。 请注意、LM5145数据表中提供了24V 输出应用电路示例。
此致、
时间
尊敬的 Tim:
我已经完成了快速入门计算器并将其与电感器磁芯损耗规范以及原始工作台电路输出 I 作为此设计的基础。 我相信您对大电感磁芯损耗的看法是正确的。 是否有办法降低这种损耗、我是否应该搜索损耗更少的类似规格的电感器?
感谢您的帮助。
尼科
e2e.ti.com/.../WBDesign1-_2800_2_2900_.pdf
e2e.ti.com/.../LM5146_2D00_Q1-Quickstart-Tool-r2-_2D00_-48Vin-24Vout-8A-255kHz.xlsm
试用 Cyntec VCHA105D 系列电感器以大幅降低磁芯损耗。
快速启动看起来不错。 您可能希望使用80V FET 以实现更高的效率(请参阅 LM5145 EVM 上的 FET 系列为例)。 然后使用非对称 FET、即高侧的 Rdson 更大。 275nC 的 Qrr 非常大、因此您可能还希望对低侧使用更高的 Rdson。 我在 LM5145数据表的应用示例3中使用了 CSD19534Q5A。
另外、您还可以在更高的频率处进行交叉、例如30kHz。
如果找不到磁芯损耗较低的电感器、可以将电感增加到22uH (纹波电流较低=磁芯损耗较低)。
--
时间