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您好！
由于 UCC256302的 NRND、目前我们正在从 UCC256302迁移到 UCC256602。
自举电路出现问题、高侧驱动器会不断故障。 在 UCC256302中、同样的功率级和自举电路运行完美无瑕。
高侧驱动器通常在第一个开关周期内消失。 MOSFET 不会损坏、只有高侧驱动器会被破坏。 HB 和 HS 之间的电阻始终降至刚好700欧姆、我尝试了多次。 仅更换无电的 UCC25660后、电路会重新工作。 因此、只有 UCC25660损坏、电路中没有其他内容。
只有在以我们的目标电压(370V)运行时、才会发生损坏。 仅使用200V 时、它运行良好。
我确信这与自举电路有关、因为断开自举二极管并为高侧驱动器提供9V 电池是成功的。 如前所述、该自举电路与 UCC256302一起使用。
损坏发生在第一个开关周期中。 首先、LS FET 打开、为自举电容器充电。 然后、HS 开启、开关边沿不是非常陡峭、并且没有发生过冲。 100ns 后、HS 驱动器消失、我们可以看到、自举电容器中的电压在100ns 后快速开始下降、而高侧开关的电阻增加、从而导致开关节点/下降沿出现压降：
CH1/蓝色：开关节点
通道2/绿色：谐振电流
CH3/紫色：HS 驱动器电压
作为比较、这是它应该是什么样的(使用9V 电池作为高侧驱动器、而不是自举电路)：
CH1/蓝色：开关节点
通道2/绿色：谐振电流
CH3/Violet：输出电压(上下浮动)
第一个开关周期通常为(使用9V 电池)大约600ns、但我们的驱动器会在100ns 后(使用自举)发生故障。 因此、驱动器很可能先死、然后下降沿开始。 从示波器图片中、我无法在 HS 驱动器上看到任何过压/欠压事件。 过冲和下冲在驱动器死区之前不可见。
我们的自举电容为2.2uF、二极管为 STTH112A (超快速二极管1200V 1A)。 我们从自举电阻为2.2欧姆(如在我们的旧电路中)、并且已经将其增加到18欧姆。 此外、我尝试添加一个18V Z 二极管来限制 HB 和 HS 之间的过压峰值。 此外、我从偏置绕组到 VCCP 的二极管、以确保 VCCP 引脚上不会发生过压(仅 HV 供电)。 我将 MOSFET 栅极电阻器从一个非常低的值增加到了一个非常大的值、以减少开关边沿(现在大约为10V/ns)。
=>到目前为止，所有这些措施本身和一次性都没有成功。 只能在200V 而不是390V 运行或者在使用9V 电池而不是自举电路的情况下运行。
您有什么想法要尝试下一步吗？
否则、如何在不损坏 MOSFET 的情况下损坏 HS 驱动器？ 除了过压/欠压和开关边沿过陡之外、是否有任何其他方式？
感谢你的帮助。
