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器件型号：BQ25750 主题中讨论的其他器件： LM5069
工具与软件：
这是对马里奥的另一个主题的一些跟进,他基本上有相同的问题。 如果您仍在 Mario 那里、 您是否实施过此浪涌电流限制 方案？ 如果是、它的工作情况如何？
当 ACFET 应能够提供此功能时、在其前面添加一个单独的浪涌控制器显然是多余的。 不过、在考虑使用 BQ25750实现它的最佳方法时、我们会想到一些问题。
根据数据表、AC/BAT FET 栅极驱动电荷泵能够在10uA 时提供10Vgstyp 和高达40uAtyp 的电流限制。 如果有额外的栅源电容器或栅极 PGND 电容器、则在导通 FET 时栅极驱动电流会限制在~40uA？ 这将需要在与10uA 相比具有相同浪涌延迟时间的情况下增加~4倍的电容。 电流限制的最小值/最大值是否有规格？ 这在查看 FET 的 SOA 时会很有用。
ACFET 关断电流为3mA LaunchPad、而 BATFET 关断电流为400uAtyp。 是否应该使用类似于 LM5069数据表首页所示的 dv/dt 启动电路来通过额外的栅极电容缩短关断时间？
ACDRV 引脚将 GATE 拉至 PGND 以关闭 FET、因此 最好使用 GATE 至 PGND 电容器来实现浪涌限制、就像在 LM5069上一样？
没有提到 BATDRV 引脚将栅极拉至 PGND、那么为该引脚使用栅源电容器是否更好？
感谢您的帮助。
Brian
