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工具与软件:
嗨、团队:
请帮助检查 输出级 NMOS 体二极管的电流容量、我的客户想知道这一点。
此外、输出引脚有一个 ESD 结构、如果 VEE VOUT 上存在正电压、那么 ESD 是否会首先接管电流? VOUT 引脚规范、如果违反、最小值是 VEE - 0.3V? 则 ESD 二极管会有损坏的风险?
BR
Emma
尊敬的 Emma:
只有两种输出状态:低电平和高电平
在输出低电平状态下、NMOS 闭合、体二极管短路。 输出饱和 电流为+/- 5.3A。 如果输出 dV/dt 足够快、并且栅极驱动器环路存在较长的 Vgs、则可能会通过 Vee 和 Vout 引脚在寄生电感上观察到一些高频 LC 谐振和下冲。 (通常只有像 UCC21551这样具有更快上升时间的器件才能实现这一点、而不是 UCC23513)。 但是、 芯片上的内部 V (OUT)-V (VEE)保持在0V、没有损坏低侧 NMOS 的风险。 但是、如果下冲足够低、您可能会开始在高侧器件上产生过压。
在输出高电平状态下、低侧 NMOS 体二极管反向偏置、仅传导很小的漏电流。 到输出电阻最小的路径是通过高侧 PMOS、ROH 为9.5欧姆。
如果客户紧张、在栅极驱动器电源上放置一个 TVS 二极管来防止过压总是很有帮助、因为这是损坏的最常见原因。
此致、
Sean
Sean、
我的客户在 Vout 到 VEE 上添加了一个二极管、但他们发现二极管始终断开(短路)
https://www.semiee.com/file/backup/LRC-LRB501V-40T1.pdf、这是100mA 二极管? 你认为这通常就足够了吗?
那么 UCC23513内部 ESD 二极管 连续正向电流电平如何?
我们是否有适用于 VOUT 到 VEE 的推荐二极管?
我还将支持客户识别负电压波形并帮助他们消除负电压波形。
BR
Emma
尊敬的 Emma:
这会在外部二极管损坏时产生问题。 内部集成二极管比分立二极管吸收的功率更少。
此处的集成 ESD 二极管额定电流为20mA 直流、但我已在损坏前针对60mA 进行了测试。 这当然会转化为高得多的瞬态电流。 请参阅下面我测得的 IV 特性。
BAT54通常是我选择的 ESD 二极管、但在这种情况下、30Vr 可能没有足够高的电压。 它们的电源轨是什么?
这是怎么回事? 您是否有任何 Vout 波形? 首先、我们应该弄清二极管是不是由于过流或过压而失效。 如果是电压、与更换二极管相比、使用并联电容器对 EOS 进行滤波可能会大有裨益。 如果是过流、我们需要查看它们的高压开关行为并尝试消除谐振源。
此致、
Sean