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[参考译文] UCC23513:输出级 NMOS 体二极管的电流能力

Guru**** 1955440 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC21551, UCC23513
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1371317/ucc23513-current-capacity-for-output-stage-nmos-body-diode

器件型号:UCC23513
Thread 中讨论的其他器件:UCC21551

工具与软件:

嗨、团队:

请帮助检查 输出级 NMOS 体二极管的电流容量、我的客户想知道这一点。

此外、输出引脚有一个 ESD 结构、如果 VEE VOUT 上存在正电压、那么 ESD 是否会首先接管电流? VOUT 引脚规范、如果违反、最小值是 VEE - 0.3V? 则 ESD 二极管会有损坏的风险?  

BR

Emma

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Emma:

    只有两种输出状态:低电平和高电平

    在输出低电平状态下、NMOS 闭合、体二极管短路。 输出饱和 电流为+/- 5.3A。 如果输出 dV/dt 足够快、并且栅极驱动器环路存在较长的 Vgs、则可能会通过 Vee 和 Vout 引脚在寄生电感上观察到一些高频 LC 谐振和下冲。 (通常只有像 UCC21551这样具有更快上升时间的器件才能实现这一点、而不是 UCC23513)。 但是、 芯片上的内部 V (OUT)-V (VEE)保持在0V、没有损坏低侧 NMOS 的风险。 但是、如果下冲足够低、您可能会开始在高侧器件上产生过压。   

    在输出高电平状态下、低侧 NMOS 体二极管反向偏置、仅传导很小的漏电流。 到输出电阻最小的路径是通过高侧 PMOS、ROH 为9.5欧姆。

    如果客户紧张、在栅极驱动器电源上放置一个 TVS 二极管来防止过压总是很有帮助、因为这是损坏的最常见原因。  

    此致、

    Sean

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    Sean、

    我的客户在 Vout 到 VEE 上添加了一个二极管、但他们发现二极管始终断开(短路)

    https://www.semiee.com/file/backup/LRC-LRB501V-40T1.pdf、这是100mA 二极管? 你认为这通常就足够了吗?

    那么 UCC23513内部 ESD 二极管 连续正向电流电平如何?

    我们是否有适用于 VOUT 到 VEE 的推荐二极管?

    我还将支持客户识别负电压波形并帮助他们消除负电压波形。

    BR

    Emma

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Emma:

    这会在外部二极管损坏时产生问题。 内部集成二极管比分立二极管吸收的功率更少。

    此处的集成 ESD 二极管额定电流为20mA 直流、但我已在损坏前针对60mA 进行了测试。 这当然会转化为高得多的瞬态电流。 请参阅下面我测得的 IV 特性。  

    BAT54通常是我选择的 ESD 二极管、但在这种情况下、30Vr 可能没有足够高的电压。 它们的电源轨是什么?

    这是怎么回事? 您是否有任何 Vout 波形?  首先、我们应该弄清二极管是不是由于过流或过压而失效。 如果是电压、与更换二极管相比、使用并联电容器对 EOS 进行滤波可能会大有裨益。 如果是过流、我们需要查看它们的高压开关行为并尝试消除谐振源。

    此致、

    Sean

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