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器件型号：BQ76952 工具与软件：
您好、TI 专家：
我们一直在进行过充电保护测试、遗憾的是、每次启动保护机制时、我们的充电 MOSFET 都会造成损坏(D-S 短路)。 我们已尝试将栅极电阻器从100调整到3K、结果相同。 我们使用电池充电/放电测试仪来测试电路。 请参阅下面的电路。
我们的电流限值在充电期间设置为20安培。 我们已禁用 BQ76952中的过流保护、如果电流超过20安培、我们的主机控制器会读取 CC2电流、并使用 I2C 命令禁用充电和放电 MOSFET。 我们已收集了示波器图片：
蓝色：BAT+(充电 FET 的来源)
紫色： (充电 FET 的漏极)
黄色：(充电电流)
遗憾的是、我手头没有差分探头、因此仅使用 BAT 收集源电压和 Dain 电压。
MOSFET 的额定电压为100V、峰值电流为300A。 令人困惑的是、MOSFET 最初关断且漏极持续升高、然后 MOSFET 电流开始再次升高、而 MOSFET 会造成损坏。
有什么想法吗？
谢谢！
Naga Penmetsa.
