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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1374734/tps22997-questions-about-tps22997-cin-and-cbias-capacitors-requirements
工具与软件：
大家好、团队成员：
客户正在评估光学模块输入浪涌电流降低应用中的 TPS22997。 由于存在 VIN 和 VBias 去耦电容器、因此在 VIN 热插拔期间会导致一些电流尖峰、它们需要减少 VIN 和 VBias 电容器、您能帮助检查我们可以为 TPS22997支持的 Cin 和 Cbias 最小电容器值是多少？
谢谢。
你好、Jacky、
我们无法计算最小 C_in 和 C_bias 值。 这些值将取决于器件的负载条件和电压轨稳定性、在不同值下的器件行为需要在 EVM 上观察。
如原理图所示、去耦电容的主要优势是保护 V_IN 和 V_BIAS 引脚免受会影响系统稳定性的瞬态电压事件的影响。 如果电源电压稳定、则问题不大。 此外、V_BIAS 引脚上的电容器将用于滤除低频噪声并提高 EMI 事件的稳定性。
此致、
耐特
