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[参考译文] UCC21520:半桥 IGBT 驱动器:电容器选择、RGS 电阻器、SiC 二极管保护和电源配置相关问题

Guru**** 2381070 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC21520
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1372382/ucc21520-half-bridge-igbt-driver-capacitor-selection-rgs-resistor-sic-diode-protection-and-power-supply-configuration-queries

器件型号:UCC21520

工具与软件:

我将使用 UCC21520驱动采用半桥配置(Semikron 提供的 SKM100GB12T4)的 IGBT。 我的目的是应用+15V 电压开启汽车、-12V 电压关闭汽车。 根据数据表、我相信图10-3展示了适用于我的应用的适当配置。 我的电路板上有两个隔离式+15V 和+12V 电源。

我主要关心的是如何选择 CA1和 CA2电容值。 这些值需要根据开关频率(30kHz)和栅极电荷计算得出。 您能否提供一个示例、说明这些值是如何推导的?

另外还有以下问题:

  1. 我应该移除典型应用电路中的 RGS 电阻器、还是可以保留它?
  2. 是否应该添加一个1200V SiC 二极管来保护我的+15V 和+12V 电源免受高电压影响? 值得注意的是、当高侧开关导通时、高直流母线电压直接施加到-12V 电源。
  3. 我可以为高侧和低侧使用相同的+15V 和+12V 电源吗?

如果我的配置中存在任何误解、请更正我、因为我还在了解这一点。 非常感谢您就这些事项提供指导。


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    尊敬的 Suyog:

    感谢您关注我们的器件!

    下面是一个相关主题、通过示例对此进行了详细说明: (+) UCC5350-Q1:为 SiC MOS 驱动中使用的负偏置电路选择电容器大小-电源管理论坛-电源管理- TI E2E 支持论坛 

    对于您的其他问题:

    1. RGS 电阻器用于降低米勒电流引起的 dV/dt 导通风险。  不一定总是必需的、但建议在以防万一的情况下将一个插座留空。
    2. 添加二极管或铁氧体磁珠很常见、可保护电源。
    3. 是的、对于隔离式电源、这应该不是问题。

    请随时提出下面的任何其他问题!

    此致、

    Hiroki

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    感谢您的答复@Hiroki Honda。 我已经按照提供的链接中概述的方法进行操作、现在将结果与您共享。 请查看它们、如果有任何错误、敬请告知。


    此外、我还有一个关于电容器额定电压的问题。 在设计中、我选择了额定电压为50V 的电容器。 是否应该改用额定电压为直流链路电压(本例中为600V)的电容器?

    我的设计包括两个配置相同的附加驱动器。 我可以使用随附图中所示的同一电源(+15V、+12V)吗? 虽然使用同一电源会具有成本效益、但我对其在此配置下的含义和功能感到困惑。 非常感谢提供详细的解释。

    此外、如果您能在我进行制造前查看我的设计以确保没有错误、也会非常有帮助。

    谢谢你。



     

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Suyog:

    考虑到您的负载电容、这些电容器值应充分发挥作用。

    对于这些电容器、50V 额定电压没有问题、因为这些电容器不会出现 HV 总线电压。  

    关于电源、可以为 LS 通道使用相同的电源、因为它们共享相同的接地。 但是、对于 HS 通道、您需要单独的 ISO 电源、因为每个通道的接地会是不同的节点。

    看看你所附的示意图、我觉得没有什么特别之处。 如果需要、请随时提出以下其他问题!

    此致、

    Hiroki