[参考译文] LM5176：LM5176

您好、Stefan、
感谢您的支持。

1) 1)注意到。
2) 2)您能否说明如何在中间添加充注循环路径？ 引导电容器的充电(尤其是在100%占空比下)的确切路径是怎样的？  
3) 3)这样的话、考虑到 LM5176的驱动能力、我们认为最大输出电流(比如60A 到80A)将仅依赖外部 MOSFET 和电感器、这是否正确？
4) 4)注意到了。
5) 5)如前所述、我们计划 并联使用 CSD19532Q5B 该 MOSFET (假设是5或6并联)您能否确认 LM5176是否可驱动此 MOSFET？  

谢谢 Stefan 的回答。
你的回答很好。

考虑到这一点、我们将使用外部驱动器(UCC27714)来驱动并联 MOSFET (5或6)。
请您确认  
1) 1) UCC27714和 LM5176组合是否合适？ (要考虑所有情况、例如100%占空比、升压、降压等)
2)另请告知我们 UCC27714适合5或6 MOSFET 驱动容量(请考虑相同的 MOSFET  CSD19532Q5B )

尊敬的 Shankar：

驱动器需要支持100%占空比。

外部驱动程序不属于我们的团队。 也许你可以启动一个新的主题来询问该问题、以便相应的团队可以回答。

此致、

 Stefan

您好、Stefan
好的、他说。

1) 1)在 LM5716中、您能否解释一下如何在中间添加充电周期路径？ 引导电容器的充电(尤其是在100%占空比下)的确切路径是怎样的？  显示了100%期间的路径。

2) 2)  我们的理解是否正确：考虑到 LM5176的驱动能力、最大输出电流(假设为60A 至80A)将仅取决于外部 MOSFET 和电感器？

感谢 Stefan 的答复。

1 =>好的说、如果您能在任何纸上绘制图表并显示路径、也是可以的。
此外,正如你提到的,将添加一个特殊的周期(它的最长持续时间和它的增加频率是什么).

2.感谢您确认此最大电流。

尊敬的 Shankar：

希望这有助于(展示了为 BOOT1和 BOOT2电容器充电的路径：

如前所述、一旦电压低于特定电平、它将再次充电、因此由自举电容器和 MOSFET 栅极的漏电尤其重要。

此致、

 Stefan

您好、Stefan、
这与上述相同系统是连续的。  
我们在 SW1和 SW2上看到该异常波形(负载为25A)、但直到23A 时才能看到这种现象。

可能是什么原因？
SW2波形：
 

SW1波形；

尊敬的 Shankar：

您能否在一个图中探测 SW1、SW2和 VIN。

此致、

 Stefan

您好、Stefan、
我们已经尝试过、但问题是、当我们尝试在同一张图上获取 SW1、SW2和 VIN 等时、IC 受到损坏、因此我们单独采取了赔偿。
 

尊敬的 Shankar：

这很令人困惑、对我来说也没有意义。

我还想说上面的最后一个示波器图被否定了-您能否检查连接点和极性。

此致、

 Stefan

您好、Stefan、
为避免产生混淆、我们忽略上面的内容。 您至少可以在下面检查 SW1和 SW2波形。

23A 负载以上的 SW1波形


23A 负载以上的 SW2波形



问题1：C Ould 您确认 SW2振铃的原因是什么
在23A 以上负载和具有20A 负载的相同电路中、SW2上没有振铃。

Q2:重要的音频声音。
在23A 负载以上、有一些音频声音(TIK-TIK TIK...) 然后在 SW1、SW2波形上观察。
仅供参考、我们将 CBOOT 从470nF 增加到1uF、直至面临同样的问题。

尊敬的 Shankar：

问题1：

由于电路板上存在寄生虫、振铃看起来像过冲。

有几个选项可以改进这一点：

-首先布局对这方面有很大的影响

-添加栅极电阻以降低开关速度(栅极电阻通常在1到10欧姆范围内)

-添加缓冲器-另请参阅 https://www.ti.com/lit/ta / ssztbc7/ssztbc7.pdf

-添加一个与 MOSFET 的体二极管并联的二极管

更多信息：

https://www.ti.com/lit/an/slyt465/slyt465.pdf

https://www.ti.com/lit/an/slva255/slva255.pdf

https://www.ti.com/lit/an/slpa010/slpa010.pdf

问题2：

音频可由过冲触发。

该电压由电感器或陶瓷电容器生成。 要了解源是什么 、一种好的方法是使用一些较短的柔性导线连接电感器、并将其从电路板上取下。 如果噪声消失、那么电感器的噪声效果也是某些电容器中最理想的噪声。

此致、

 Stefan

尊敬的 TI 团队：

您能告诉我们吗？

Q1：对于 LM5176、当 VIN 24、VOUT 12V (降压模式)时

 HDRV1 =>它是否会是50%的占空比？

HDRV2 =>它是否占空比为0%(流过 MOSFET 体二极管的电流)？

这是我们的理解是否正确？

Q2：对于高于 VIN 和 VOUT 的情况、HDRV2的 HO wrt com 引脚之间的电压会是多少？

Q3：也随着负载电流增加、是否会对 HDRV1和 HDRV2占空比值产生任何影响？

Q4：针对 VIN6V 和 VOUT 12V (升压模式)重复 Q1、Q2和 Q3？

尊敬的 Shankar：

答案已与您的问题对应

问题1：

 HDRV1：50%

 HDRV2： 100%(为了避免电流通过体二极管、因为这会产生很大的损耗、 软启动期间除外)   

Q2 + Q4：

将是0V 或相对于 SW 的 VCC (取决于 MSOFET 是打开还是关闭

Q3 +Q4：  

仅在转换期间不在静态模式下-占空比取决于输入和输出电压

第4季度- Q1：

 HDRV1：100%

 HDRV2：50%  

此致、

 Stefan

您好、Stefan、
在遇到所有这些问题之后、我们最终决定使用 TI LM5176 EVM 板进行测试、我们观察到以下尖峰问题。

我们保留了与 TI EVM 建议相同的元件、但使用了两个 MOSFET CSD18540Q5B (在两侧、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6、Q7和 Q8都被并联)、以实现更高的电流。


下面是17V 输入和输出为12V 时的 SW1波形。



Ve 尖峰电压与以上波形相差~26V
-ve 尖峰电压是 上面波形的~μ V-3.5V


供参考：

1) 1)为了减少此尖峰、我们添加了缓冲器  
  I) R=> 3R3、C=> 4n7
  ii) R=> 4R7、C=3n3

2)还尝试将栅极电阻从0增大到10欧姆  

3)还尝试添加二极管 D1和 D2  (SS220LWHRVG)  改善该尖峰、但添加该尖峰后没有改善。


完成所有这些试验后、以上是我们实现的最佳波形。  

问题1：您能告诉我们如何减少+ve 和-ve 侧的尖峰吗？
问题2：在 SW1点可以承受 LM5176的最大 Ve 尖峰电压是多少？

尊敬的 Shankar：

在该测试期间、输入输出电压和负载电流是多少？

您可以放大以便查看下降沿和上升沿的过冲振铃/波形吗。

您能否分享一张显示您如何连接探头的照片。

此致、

 Stefan