工具与软件:
您好!
根据评估板原理图和布局、我们为定制板设计了原理图和布局。 我们使用的 MOSFET 为 BSC061N08NS5ATMA1。 我们遇到的情况是 SR 启动、很快就会关闭。 阅读论坛后、我们注意到、除非 添加了负载(使 Id X Rdson 下降10mV)、否则我们添加了2A 负载(BSC061N08NS5ATMA1的 Rdson 为6m Ω)、但它仍然提供相同的行为。
有人能帮忙吗?
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
工具与软件:
您好!
根据评估板原理图和布局、我们为定制板设计了原理图和布局。 我们使用的 MOSFET 为 BSC061N08NS5ATMA1。 我们遇到的情况是 SR 启动、很快就会关闭。 阅读论坛后、我们注意到、除非 添加了负载(使 Id X Rdson 下降10mV)、否则我们添加了2A 负载(BSC061N08NS5ATMA1的 Rdson 为6m Ω)、但它仍然提供相同的行为。
有人能帮忙吗?
您好!
我已经检查了您的布局、而且到 UCC24612的 VD 引脚和 FET 漏极的布线很长。 缓冲器 R49和 C24之间也存在较长的布线。 布线每英寸增加大约10nH 的电感。 可能会出现振铃、从而导致 UCC24612的 Vd 和 Vs 引脚出现问题。
您可能首先需要使用示波器来研究 VD、VS、VDD、以确保:
1. VDD 正确偏置。
2. VD 和 VS 引脚之间没有过多的振铃。
如果 VD 和 VS 引脚上存在过多的振铃、可以使用 R49和 C24来缓冲它。 UCC24612数据表中提供了有关如何设置缓冲器的信息。
https://www.ti.com/lit/gpn/ucc24612
如果缓冲功能不起作用、可能必须修改布局。 数据表和 EVM 提供了布局指南和示例、可用于改进设计中的布局。 通过以下链接可访问 EVM 用户指南、其中包含有关 EVM 布局的信息。
https://www.ti.com/lit/pdf/sluubp3
此致、