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[参考译文] LM5145:最大栅极电阻的估算

Guru**** 2386600 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5145
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1376469/lm5145-estimation-of-maximum-gate-resistance

器件型号:LM5145

工具与软件:

嗨、团队:

客户要将 LM5145与 Toshiba 的 FET TK8R2E06PL 配合使用。 他们需要尽可能软地开关 FET。

您能否估算此组合的最大栅极电阻?

https://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=55709&prodName=TK8R2E06PL

此致、

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    你好、厚寿司  

    您必须在监控 MOSFET 温度的同时逐渐增大栅极电阻器。 很难通过计算来估算最大栅极电阻器值。  通常、~ 1-5欧姆栅极电阻器与栅极二极管并联使用。  

    - EL   

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    Eric San、

    客户逐渐增加栅极电阻器、过冲和振铃减少了10欧姆。

    如果 MOSFET 温度没有问题、它们可以电阻为10 Ω? 或者、他们应该将电阻减少到小于5欧姆、并且在 Cbst 上增加一个串联电阻、等等?

    BTW、他们不应为低侧 FET 添加栅极电阻器、对吧?

    此致、

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    Eric San、

    我再多确认一下他们的电路。

    他为高侧和低侧输入10 Ω 电阻、并将2.2 Ω 作为 rbst。

     TK8R2E06PL 的封装是 TO-220、所以没有过热问题。

    是否有任何疑虑?

    此致、

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    你好、厚寿司

    • 如果 MOSFET 温度没有问题、它们可以电阻为10 Ω? =>您还必须检查死区时间是否足够。  
    • 如果它们将电阻减小到小于5欧姆并在 Cbst 处添加一个串联电阻、则栅极电阻器优于 BST 电阻器。  
    • 他们不应为低侧 FET 添加栅极电阻器、右侧=>如果 HO 到 LO-导通死区时间足够、您不需要在低侧放置栅极电阻器。  

    - EL