主题中讨论的其他器件:BQ25638、BQ25628
工具与软件:
您好!
我们的客户在以下情况中询问了窄 VDC (NVDC)最小压块
1) SYS-SYS_MIN @BAT < SYS_MIN、充电启用、充电禁用(-40V < Tj <125°C)
2) SYS-BAT @ BAT > SYS_MIN、充电启用、充电禁用(-40V < Tj < 125°C)
我知道更多的新规范是很困难的、但如果您能提供参考数据、那就必须感激不尽。
此致、
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工具与软件:
您好!
我们的客户在以下情况中询问了窄 VDC (NVDC)最小压块
1) SYS-SYS_MIN @BAT < SYS_MIN、充电启用、充电禁用(-40V < Tj <125°C)
2) SYS-BAT @ BAT > SYS_MIN、充电启用、充电禁用(-40V < Tj < 125°C)
我知道更多的新规范是很困难的、但如果您能提供参考数据、那就必须感激不尽。
此致、
您好!
请参阅数据表的第8.3.5.1节:
"当电池电压低于最小系统电压设置时、BATFET 以线性模式(LDO 模式)运行、系统通常比最小系统电压设置高180mV。 当电池电压上升到高于最小系统电压时、BATFET 将完全导通、系统和电池之间的电压差为 BATFET 的 VDS。 当电池充电被禁用并高于最小系统电压设置或充电终止时、系统通常始终调节为比电池电压高50mV。 当系统处于最小系统电压调节状态时、状态寄存器 VSYS_STAT 位变为1。"
此致、
Mike Emanuel