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[参考译文] CSD25480F3:脉冲漏极电流和 VDS 额定值问题

Guru**** 1963975 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD25480F3
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1381065/csd25480f3-pulsed-drain-current-and-vds-rating-question

器件型号:CSD25480F3

工具与软件:

您好!

 CSD25480F3 旨在处理-10.6 [A]的脉冲漏极电流。 一个"脉冲"被定义为≤100 μs、占空比≤1%。 我将在 快速开关电路中使用 CSD25480F3的未加密 PSpice 模型、而 CSD25480F3提供 -3.3 [A]的脉冲漏极电流、持续时间最后为3.3 [ns]、占空比为20%。 给定上述脉冲定义、此 MOSFET 是否能够处理这些电流脉冲?  

除了上述问题外、我还将  在恰好 Vds =-20 [V]的条件下偏置 CSD25480F3。 假设  器件的绝对最大额定值为-20 [V]、 CSD25480F3是否 能够可靠地承受该电压?

谢谢!

Braden

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    您好、Braden:

    感谢您关注 TI FET。 FET 数据表中的脉冲漏极电流的计算方式如下面链接中的博客所示。 我认为使用此 FET 很难实现3.3ns 的脉冲宽度。 数据表中指定的导通/关断延迟时间以及上升和下降时间已经超过3ns。 FET 是以某个频率和占空比进行开关、还是这是单次脉冲? 您能否分享您的仿真和结果? 不可以、TI 不建议在 VDS = BVDSS 的情况下运行 FET。 任何瞬态、过冲或电压调节都可能将 FET 推入雪崩、从而损坏或损坏 FET。 通常、客户将最大工作电压降额 至 BVDSS 的80%或90%。 请告诉我、我可以做些什么来进一步帮助您。

    https://www.ti.com/lit/ta / ssztcp0/ssztcp0/ ssztcp0.pdf

    谢谢!

    约翰·华莱士

    TI FET 应用

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    尊敬的 John:

    感谢您的答复! 有关此设计的更多详细信息、请参阅我的私人消息。

    谢谢、

    Braden

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