工具与软件：
您好！
当我使用 UCC27714驱动 H 桥时、 击穿通常出现。Ω
我想。电路设计中是否存在任何不合理的情况
图1：H Brigde、电流传感器、我的负载在 XL1/XL2之间具有10mH 电感
图2： 驱动电路
图3：我的测试波形、DEADTIME=4us。
CH1、CH2：PWM1A、PWM2A
Ch3、Ch4：PWM2A、PWM2B
；
图4：这是我正确运行时的电流波形、另一个问题是我需要进行哪些调整来减少这些电流脉冲
您好、William Moore：
1、同时打开下侧的 MOS ,然后打开高侧的 MOS ,为零三级
2.放大电流峰值、 开关周期为20kHz、PWM1B、PWM2A 相移180度关系、PWM1A、PWM2B 也是如此。
电流尖峰似乎在开关时出现。
3.i 在实际电路做了一些修改、简化的原理图如下：
4.感谢您的建议。 我来试一下
5.您是对的。 我已经将电阻调整到10欧姆
此致、
您好、 William Moore：
这样做可以使电感器电流在单个控制周期内保持恒定、如下所示：
Q1和 Q3 是 左半桥的高侧和低侧
Q2和 Q4是 右半桥的高侧和低侧
IAB 是电感电流。 我的驱动波形对应于图中的 T2-T3。
另一个让我感到困惑的问题是、当我使用该波形测试电路时、对于不同的负载电感器、结果是不一致的。
我的负载变化约为10mH±5%、有些效果很好、但有些会发生 击穿
当我调整 RC 缓冲器电路、它甚至损坏我的驱动电路。
我想知道设计是否有任何问题。
此致、
您好、William Moore：
您是对的、我以 42%的占空比( DEADTIME==4us)同时开启 M1和 M2、同样相反、您将 M3和 M4同时打开。
当我测试其中一个半桥时、 与 V_GS 信号相比、CH2为半桥低侧的 V_GS、CH3为半桥高侧的 V_DS、
它关闭的时候高侧似乎有延迟,我想这就是为什么我击穿,但我不明白延迟的原因。
此致、
