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[参考译文] CSD19532Q5B：消隐时间规格

admin
Guru**** 2392905 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD19532Q5B

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1378663/csd19532q5b-blanking-time-spec

器件型号：CSD19532Q5B

工具与软件：

你(们)好

我可以知道 CSD19532Q5B 的消隐窗口吗？

这意味着在电源开关和 MOSFET 不关闭时、MOSFET 能够向 OCP 提供多长时间的保护。

您可以在下面看到浪涌电流、消隐窗口下的 MOSFET 不会触发任何保护。

BRS

Brian

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    TI__Guru**** 2392905 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Brian、您好！

    感谢您的咨询。 FET 的消隐时间或过流保护尚未定义。 可在过流事件期间关闭 FET 的任何消隐或保护均可由外部控制。 FET 在过流期间的承受时间取决于 FET 中的功率耗散和结温升、可通过数据表图1中的归一化瞬态热阻抗图来确定。 请参阅以下链接、了解有关使用数据表中瞬态热阻抗图的更多信息。 如果您有任何问题、敬请告知。

    https://www.ti.com/lit/pdf/SLUAAO2

    此致、

    约翰·华莱士

    TI FET 应用

  • 0
    TI__Guru**** 2392905 points
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    Brian、您好！

    跟进以查看您的问题是否已解决。 请告诉我。

    谢谢！

    John

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    TI__Guru**** 2392905 points
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    Brian、您好！

    由于我尚未收到您的回复、因此我假设您的问题已得到解决、将关闭该主题。

    谢谢！

    John