[参考译文] TPS23755EVM-894：热仿真的组件功耗分布

尊敬的 Diang：

感谢您快速而全面的回答、

为了确保、当说整流器时、您指的是参考设计中的两个二极管电桥 D1和 D2？

另外、对于第二个二极管、您参考参考设计中12V 输出上的二极管 D3。

您能估算控制器 TPS23755和反激式变压器的功耗吗？ 我是否应该在每个~0.38W 上取一半？

我们的包装盒应符合65°C 的最高环境温度、我们的工程将最高 PCB 温度限制为100°C。

BTW、功耗是否因环境温度而存在较大差异？ 如果是、您可以估算每摄氏度的瓦数吗？

例如、二极管功耗随着温度升高而降低、因此我可以对其进行仿真。 我需要您对控制器和变压器的估计值。

此致、

Yossi

尊敬的 Yossi：

感谢您的答复。

PoE PD 设计功率损耗主要来自整流桥(参考设计中的 D1和 D2)、PD 热插拔和直流/直流。

PD、IC 自身运行功率通常较低(< 100mW)。 但是、TPS23755具有集成的初级 IC、这可能会导致 PD FET 上的功耗高于其他 FET。   集成 FET 后、很难估算 TPS23755的功率损耗。 从供应商 Linkcom (https://www.linkcom.com tw)获取变压器功率损耗可能更容易、并且通过减去变压器损耗来计算 PD IC 损耗。  

热测试是在~25°C 环境温度下完成的。 在这种情况下、整流器温升为~40°C、PD 温升可低于40°C。  变压器铁芯损耗可能随温度升高而降低、但铜损耗可能会增加。 您可能还需要联系 供应商  Linkcom (https://www.linkcom.com tw)以获取这些信息。

另外、您还可以尝试 获取 TPS23755EVM 样片并在此环境中运行热测试。 如果您想订购样片、请告诉我、我可以为您提供帮助。  

此致、

Diang

尊敬的 Diang：

谢谢你。 我理解这种复杂情况。

我正在等待 Linkcom 的回复、EVB 也应该在本周内送达。

关于布局编辑器所需的设计、我还有其他一些问题。

1. 是否需要 R34或我可以将 VDD 直接连接至 VPD？
2. R22是否有必要？
3. D13 (VB 上的6.2V 齐纳二极管)的预期功耗是多少？ 一个300mW 的齐纳二极管、而不是500mW、是否可行？
4. R5可以使用的最小封装尺寸是多少(值为24欧姆)？

此致、

Yossi