工具与软件：
非常感谢您的帮助。 谢谢您、我按照 TI 的建议完全参与了 SMPS 的开发。
要使用 SiC MOSFET (我在这里提问并且推荐上部文档之前)、建议使用推挽电路。
参考文件：
1. TIDA-010000
2. TIDA-00173
问题：
1.是否根据 MOSFET 的 Coss 值选择栅极驱动电路？ 如果是、我很好奇 Coss 是否有具体的标准或计算。
2.我也想知道 R48、R19、D24以及 R50的选择标准。 如果有任何参考文档、请告诉我。
3.此外、一些文档显示 TP12位置有一个电阻器、而另一些文档没有。 我也对这个很好奇。
以下每个问题的答案：
1.是否根据 MOSFET 的 Coss 值选择栅极驱动电路？ 如果是、我很好奇 Coss 是否有具体的标准或计算。
栅极驱动偏置功率由 P=Q*V*F 确定、栅极驱动电流由 Q=I*t 估算、栅极电荷 Q 可在 SiC 数据表中找到、i 是栅极驱动器峰值拉电流/灌电流、t 是产生的上升(或下降)时间。 Q 也等于 C*V、但我更喜欢使用 Q 而不是 Coss、因为 Coss 具有很高的非线性度、并且对 VDS 有很强的依赖性。
2.我也想知道 R48、R19、D24以及 R50的选择标准。 如果有任何参考文档、请告诉我。
R19、R48和 D24构成用于独立控制/限制开通/关断、拉/灌栅极驱动电流的电路。 D24应是低 Vf 肖特基二极管、R48和 R19是占位符、这些值在工作台上经过调整、以提供 VGS 所需的速度并控制/抑制任何栅极驱动振铃。 我更喜欢将 R48与 D24串联、但任一种方法都可以接受且很受欢迎。 R50意味着使用下拉电阻器来确保 SiC 的 VGS 绝不会悬空。 4.87kΩ 是可以的、但更常使用10kΩ。
3.此外、一些文档显示 TP12位置有一个电阻器、而另一些文档没有。 我也对这个很好奇。
请小心-如果您在显示的电路中安装了 R18、则会使每个双极的 Vbe 结短路。 我不确定其目的是什么、或许可以绕过外部 NPN/PNP 图腾柱驱动器并直接通过 UCC28740驱动 SiC？ R18不是典型的元件放置方式。 基本电路应与下面类似、但您也可以添加 R48、R19、D24和 R50、如上面(2)所述。
如需更详细地了解与栅极驱动相关的一切内容、请参阅 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理。
此致、
Steve
