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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1381108/bq25756e-bq25756e
工具与软件：
您好！
我张贴了几个原理图页面、其中包含 BQ25756E 以及 TUSB320LAI 和 LM74930。
有人能详细审查这些页面上包含的任何或所有器件吗？
此致！
Dane2e.ti.com/.../BRIDGE_2D00_SCHEMATIC_2D00_REV6_2D00_TI-review_2D00_06_2D00_28_2D00_2024.pdf
Dan、您好！
以下是我的建议：
确保在与 C12和 C10相同的节点上设有高频滤波电容器。 您可以使用一些0.1µF 陶瓷电容器来实现该目的。 将这些电容靠近 Q4和 Q5放置。
在 ILIM_HIZ 和 ICHG 电阻器上安装 RC 滤波器。 当这些电阻器大于5kΩ 时、我们建议这样做。 您可以根据 EVM 上的 RC 滤波器进行检查。
确保 C24和 C25靠近布局中的引脚32和引脚33。 我还建议仅使用 PCB 布线将引脚32和引脚33连接在一起。
对于您的应用而言、HE L1电感器似乎是大材小用。 可以正常工作、但您可以使用更便宜的电感器。
对于您的 FET、我建议选择具有较低阈值电压的 FET。 FET 当前的阈值电压为2.6V 至3.6V。 BQ25756E EVM 附带 AONS66614、阈值电压为1.2V 至2.4V
如果您要与 BQ25756E 签订 USB 源协议、我建议使用5mΩ 输入电流感应电阻器。
如果电池终端电流小于2A、建议设置 EN_PFM=0。 这将提高端接精度。
以下是 BQ25756原理图和布局检查清单(供参考)： https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1277772/faq-bq25756-schematic-and-layout-checklist
如有任何问题、请告诉我。
此致、 埃森·加洛韦
1) 1)我在 C12和 C10附近添加了0.1 μ F 电容器
2) 2)我为 ILIM_HIZ 和 ICHG 添加滤波器
3) 3)我更改了引脚32和引脚33之间的连接、使其与评估板类似
4) 4)我将10uH 更改为 IHLP4040DZER100M8A、来看看它
5) 5)我在我们的应用中需要更高的 FET VDS (浪涌保护)、您认为阈值是个问题吗？
6) 6)对于您提到的5m Ω、您是指代替 R38？ 您能解释原因吗？
7) 7)对于 EN_PFM 设置、我认为这是一个寄存器位？
8) 8)我将介绍检查清单。
谢谢！
请尽快回答
4.这个电感器应该起作用。
5.较高的阈值电压可能会造成问题。 您能否使用 SiR680LDP 或 SiR880BDP 等 FET？
6.当我写这篇文章时、我当时想到的是 TPS25751。 如果需要更改 R38、请联系 TUSB320LAI 团队。
7.是的、EN_PFM 是一个寄存器位。
5) 5)我想我不明白为什么芯片上有一个大的电荷泵、Vgs 很高？
此外、如果非 E 部分对我们之前讨论的任何内容有影响、我将会更改此部分
5.芯片内的电荷泵只有当降压或升压侧处于100%占空比时才工作。
更改到非 E 零件不会产生差异。
Ethan -这是现在的原理图。 在我承诺支付 PCB 之前、请再给出一个最后的查看。
Dane2e.ti.com/.../BRIDGE_2D00_SCHEMATIC_2D00_REV6_2D00_TI-review_2D00_07_2D00_03_2D00_2024.pdf
原理图看起来不错、但如果充电器是在 USB 供电或灌电流、则输入检测电阻应为5mΩ 或更高。 与5mΩ 输入感应电阻器相比、感应电阻器更精确、更适合于2mΩ 协议。
好的、我会将输入 SENSE 更改为5m Ω
