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[参考译文] TPS25830A-Q1:用于仿真的 SPICE 模型

Guru**** 2524550 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS25830A-Q1, TUSB216-Q1, TUSB217-Q1, TPS25830-Q1, TPS2583XAQ1EVM-147

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1364764/tps25830a-q1-spice-model-for-simulation

器件型号:TPS25830A-Q1
主题中讨论的其他器件: TUSB216-Q1TUSB217-Q1TPS25830-Q1TPS2583XAQ1EVM-147

您好!

我需要为 TPS25830A-Q1使用 SPICE 模型

谢谢!

Mani M

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    您好、Manikandan:

    抱歉、我们没有针对此器件的 SPICE 模型。  

    BR、

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    您好、Seong、

    在没有 SPICE 模型的情况下、我能否 使用 Rds_on (4.3 Ω)值进行仿真? 除 RDS_ON 外、 CIO_ON 还包括?

    在 DP/DM_IN 与 DP/DM_OUT 之间提供一个电路。

    这可能有助于我们的仿真。

    谢谢!

    Mani M

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    您好、Manikandan:

    是的、对于 DP 和 DM 开关导通电阻、4.3Ω 为 Rds_on。 CIO_ON、DP/DM 开关导通状态电容为10pF。

    请参阅下面 DP/DM 电路的功能方框图。

    • 处于 CDP 模式时、数据开关处于打开状态、即使在 CDP 握手期间也是如此。
    • 如果 EN/UVLO 为低电平、则数据线路开关关闭。
    • 如果在数据线上检测到 OVP、则数据线路开关关闭

    希望这对您有所帮助、

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    您好、Seong、

    理想情况下、我在 USB 线路中使用4.3欧姆电阻、无论如何、我也将使用 Cio 电容。

    此外、在数据表中我看到800MHz 附近的插入损耗为-3dB、我希望在使用 USB 电缆(大约1.6m)时这种较大的损耗可能性会使眼图降低。 是否有办法提高眼图或任何其他推荐的插入损耗较小的 TI 器件的性能?

    谢谢!

    Mani M

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    您好、Manikandan:

    请参阅 此处的应用报告"如何使用长 USB 电缆改善眼图"。 您有两个选择:

    1. 如第4.2节所述、向 DP/DM_IN 迹线添加一个 LC 网络、如第4.2节所示。
    2. 如第4.3节所述、添加一个信号转接驱动器、例如 TUSB216-Q1或 TUSB217-Q1。  

    BR、

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    您好、Seong、

    感谢您的更新。

    关于 LC 网络到 DP/DM 线路、如何选择这些值? LC 值是否取决于 USB 电缆?

    例如、如果我使用1.5m、2m 和5m 电缆、则所有 USB 电缆长度的 LC 值是否都是常数?

    谢谢!

    Mani M

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    您好、Manikandan:

    USB 电缆产生等效的电容和电阻、使 USB 端口带宽更窄并妨碍信号完整性。 因此、  电缆越长、信号完整性就越差。  

    选择 LC 值时、应首先测量眼图模式、以用作参考。 为了改善眼图张开度、 应首先添加一个5nH 至15nH 之间的串联电感器并对其进行调整、以增加带宽、但以降低线性度。 然后添加并调整并联电容器、以补偿电感并提高线性度。 4.7pF 是一个很好的开始值。

    希望这对您有所帮助、

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    您是否能够为此 IC 生成 Spice 模型或 S 参数?

    谢谢!

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    您好、Seong、

    在数据表中、插入损耗称为800MHz 附近的-3dB。 如何在仿真中包括此数据传输损耗。 因为我只考虑了 RDS_ON 值。  

    插入损耗图是如何推导的? 您能否分享更多有关这方面的信息?

    谢谢!

    Mani M

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    Aptiv 团队、您好!

    遗憾的是、在为该器件生成 Spice 模型时、我无法提供帮助。  

    我认为使用了网络分析器来测量插入损耗。 我将看到能否重新生成 DP 和 DM 的相同测量值、如果成功、我将尝试生成用于仿真的 sxp 文件。 但是、我可能需要大约一周时间才能讲授这一内容。 两个 S2P 文件(一个用于 DP、一个用于 DM)或一个 S4P 文件是否适合您?

    BR、

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    您好、Seong、

    我需要 S4P 文件。 仿真模型非常紧急并且停止了我们的仿真。

    谢谢!

    Mani M

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    您好、Manikandan:

    规格。 我会继续向您发布消息。

    BR、

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    [报价 userid="276971" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1364764/tps25830a-q1-spice-model-for-simulation/5222784 #5222784"]

    规格。 我会继续向您发布消息。

    [报价]

    这个 申请已有3年历史、TI 注释了 S 参数模型、现已推出。

    https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/973652/tps25830-q1-ibis-model-s-parameter?tisearch=e2e-sitesearch&keymatch=TPS25830-Q1#

    我们认为这两个器件具有相似的插入损耗特性。   您能帮助获取 TPS25830-Q1的 S 参数模型吗?

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    您好 Akhilesh:

    是的、根据数据表中的网络分析器照片、我预计它们的插入损耗大致相同。

    如果我能为您生成 TPS25830A-Q1的 touchstone 文件、我还会为您生成 TPS25830-Q1的 touchstone 文件。  

    BR、

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    您好、Seong、

    没有模型的情况下、我 在仿真中假定了 RDS_ON (4.3 Ω)值。  您能否确认我们的假设有效?

    谢谢!

    Mani M

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    您好、Manikandan:

    是的、根据数据表、4.3 Ω 是针对数据开关的典型 Rds_on 电阻。

    BR、

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    您好、Seong、

    在数据表中、测得的数据传输损耗为-3dB @800MHz。 在这方面、您能否澄清以下问题。

    1. 在什么电气条件和工作模式下测量数据传输?
    2. 如果测量的是理想的 IC 工作条件意味着-3dB 损耗更多、我们无法根据 USB 标准获得正确的眼图。 在此条件下、-3dB 有效、或者我们在仿真时应考虑多少 IC 损耗?

    谢谢!

    Mani M

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    您好、Seong、

    我们有一种紧迫感、正在等待仿真数据。 它阻碍了我们的仿真和生产。 你能帮我尽快拿到模型吗?

    谢谢!

    Mani M

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    Manikandan、

    图8-29是器件处于活动模式时的情况。 图8-28展示了数据通过 TPS25830A-Q1数据开关时的眼图。 此信号完整性良好、反映了800MHz 处-3dB 损耗如何不会影响眼图测试、但需要使用一根10cm 电缆。

    将超过1米的电缆从 USB 端口连接到前端音响主机时会出现该问题。 电缆的寄生效应会影响阻抗、从而影响信号完整性。

    我目前正在采购两根50欧姆半刚性电缆。 我将在拿到这些文件后告诉您、以便我可以开始使用网络分析器来捕获 S 参数测量值并生成 S4P 文件。

    我的计划是单独测量每条数据线、并为每条数据线创建两个 S2P 文件。 我认为、需要使用 MATLAB 或类似的软件将两个单端测量转换为单个 S4P 测量。 考虑到交付此模拟文件必须完成的所有工作、我不确定周转时间会有多快、而且可能需要一周左右。

    BR、

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    您好、Manikandan:

    我有半刚性电缆、并确定了我可以在实验室使用的4端口网络分析器。 S4P 文件是否仍是您需要的文件?

    BR、

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    您好、Seong、

    请共享 S4P 文件、这可能对我们的仿真有帮助。

    谢谢!

    Mani M

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    您好、Manikandan:

    我已预留时间在下星期一使用网络分析器。 我将在第24个提供 S4P COB。

    BR、

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    您好、Seong、

    任何有关 S 参数文件的更新、我没有收到您的任何输入。

    谢谢!

    Mani M

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    您好、Manikandan:

    我 最近曾尝试使用网络分析器使用 TPS2583XAQ1EVM-147测量 S 参数、但结果不准确。 我认为这是因为我使用的电缆。 焊接在 USB 走线上的导体侧裸露在外、没有太多的 GND 屏蔽层(请参阅下图)。

    本周我将再次尝试缩短导线、但我无法保证能够交付我所承诺的产品。 为了实现准确测量、我们可能需要设计和构建一个板 、其板 载 SMA 连接器连接到数据引脚、以用于此目的。 我会随时向您通报最新情况。

    BR、

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    您好、Seong、

    S 参数模型的任何更新? 因为它阻碍了我们的设计验证。

    请求您尽快提供。

    谢谢!

    Mani M

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    您好、Manikandan:

    我计划明天再试一次。

    我将告诉您测量结果是怎样的。

    BR、

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    尊敬的 Manikandan:

    在进行修改后、我再次尝试测量 Sdd21并生成您请求的仿真文件。 但是、我今天无法提高测量的准确性(结果与我之前的测量结果相同)、因此我无法提供 s4p 文件。 我的道歉。

    BR、