[参考译文] TLV773：需要多源

您好、Itoh-San、

让我看看我是否理解您的询问：

1) 1)如果您希望在每次有输入时使器件导通、则可以将使能引脚连接到输入引脚。 EN 引脚悬空不会激活器件。

2) 2)输入电压的 UVLO 将小于1.4V、EN 引脚的 UVLO 将为0V。 在将 EN 引脚连接到输入引脚的情况下、如果输入介于0V 和1.4V 之间、EN 引脚将变为高电平、但 LDO 将不会运行、因为输入将不满足最低要求、从而导致器件进入 UVLO 状态。  

3) 3)一般来说、多源 N 沟道 FET 和 P 沟道 FET 只要满足您的要求、就没有重大差异。 但是、如果您确实使用具有偏置引脚或内部电荷泵的 N 沟道 FET LDO、它们可能会在输出端产生一些噪声。 如果您需要噪声、请考虑 P 型选项、否则它无关紧要。  

希望这对您有所帮助。

此致、

豪尔赫

您好、Itoh-San、

我不能完全确定为什么该规格未在数据表上列出、但我进行了一些调查、结果表明、 最小值和最大值的 UVLO 阈值分别为1.3V±0.050V。

希望这对您有所帮助、

豪尔赫

您好、Itoh-San、

若要回答您的问题：

1)如果 EN 引脚通电(不至 IN)并且 Vin 通电 低于1.4V、那么典型值 他们的 不会 任何输出电压。  

2)当 EN 处于开启状态时、只要不低于 UVLO、为 Vin 上电和断电就应该没有问题、因为这可能会关闭器件并且没有输出。 根据您所描述的内容、我建议您查看 瞬态响应相关 因为这模拟了相对高电平和低电平的输入电压。  

3) 3) TI 通常会根据器件的尺寸和用途确定适合器件设计的 FET 类型。 一般来说、与 P-FET 相比、N-FET 小于 P-FET、并且能够驱动更多的功率和电流。  使用 N-FET 会占用器件中的空间、因为内部电荷泵用于实现低压降并具有内部电流保护功能。 使用 P-FET 可实现与 N-FET 相同的功能、无需电流保护和电荷泵组件、从而使 芯片尺寸更小。  

从我的经验来看、客户只关心输入/输出范围、电流最大值/最小值等 只要 LDO 满足客户需求的规格、就很少考虑 FET 类型。  

此致、

豪尔赫