[参考译文] UCC21710QDWEVM-054：两个去饱和电路

你好、Sasikala

感谢您的回答。 我在这里很少有顾虑。  

请注意、我不会使用串联齐纳二极管来提高跳闸电平。  

如果连续、我的意思是它的流动时间会比引脚的开启电流长。 只要 GATE 引脚处于高电平(几微秒)、10A 电流将仅流动几毫微秒、而此15mA 电流将流动。 它取决于占空比。 因此、如果占空比更高、功率耗散也会更高。 这是什么关系到我.  

我尝试实现600nS 消隐时间。 我肯定会需要加速电路。  
但是、来自齐纳二极管和肖特基二极管的寄生电容会阻碍我的发展。 所需的电容在50p-70p 左右的范围内。
但这些二极管单独的寄生电容有一半以上。 我已经看到齐纳二极管中的电容最大。  

允许在 DESAT 引脚到正电源轨之间添加另一个肖特基二极管、以保护其免受过压影响、而不是齐纳二极管。  
因此我们可以更好地控制消隐电容。  


此致
达米斯

你好、Sasikala

谢谢。 这些信息非常有用。  也感谢消隐时间数据。  

关于在 DESAT 引脚和电源正极之间使用肖特基二极管、您有什么看法吗？ 因此它不会超过电源电压。

此致
达米斯

Damith,  

这是美国本周的假日、因此响应将会延迟。 我们的团队将在下周早些时候与您联系。

此致、

Daniel

尊敬的 Damith：  

SASI 目前不在办公室、因此我将帮助解决 E2E 的问题。  

您提供的原理图中的 D14齐纳二极管可以具有相同的用途、您可以根据电源电平调整击穿电压。  

希望这对您有所帮助！  

Vivian

• 你(们)好、Vivian
  
  感谢您的答复。 但齐纳二极管具有相当大的寄生电容。 因此、它会显著影响消隐时间。  使用中的齐纳二极管和肖特基二极管、我们无法控制消隐时间。 我们需要不到700nS (嗯、理想情况下应该是大约400) 的消隐时间、以便在1200-1300V DC 情况下保护 SIC。  
  TI 驱动器具有大约300-400nS 的固有延迟以响应短路。 因此它只剩下大约200-300nS 。  
  可转换为小于100pF 的电容。 仅齐纳二极管和肖特基二极管就会有一半以上的电压。  
  
  
  此致
  达米斯

你(们)好、Vivian

非常感谢您的确认。
Im Curvinately。 是否还有任何其他具有更高消隐电容器充电电流的栅极驱动器适用于快速开关器件、例如 SIC。
尽管为 SIC 广播了该栅极驱动器、但 与外部电阻器提供的~Ω 15mA 相比、500uA 对于消隐电容器充电电流来说太低。 是不是因为这些栅极驱动器最初为 IGBT 设计？  

此致
达米斯

尊敬的 Damith：

感谢 Vivian 在我缺席期间对 Damith 的详细解释。  

正如 Vivian 所述、目前所有不可编程的隔离式栅极驱动器都只有500uA 的 DESAT 电流。 OUTH 外部充电路径可用于 将消隐时间减少到小于500-600ns。

您是否发现 对外部充电电流方法有任何疑问？  根据我们的了解、对于其他竞争对手器件、~500uA 是 DESAT 充电电流的典型值。 您是否看到了不同的趋势？  

期待您的意见。

你好、Saikala 和 Vivian

非常感谢您的讲解。 我能理解你的理由。  
2 3us 消隐时间对于 IGBT 来说当然是可以的。 但对于 SiC、它不适合高于或接近1kV 的电压。 与 SIC 相比、IGBT 具有出色的短路耐受能力。 所以计时真的很关键。
您可以在   TI 的此 PDF 中找到更多详细信息。   
当电压高于1kV 时、消隐时间超过1uS 是不合适的(这在很大程度上取决于汇流条寄生、但"良好"的汇流条 将在短路事件中产生非常高的故障电流。)  .
我们的内部测试也证实了这一事实。   

外部路径没有问题。 IC 中包含这一切是件不同寻常且很高兴、因此外部组件较少。  

再次感谢您提供的信息。  

此致
达米斯