[参考译文] TPSI3050：TPSI3050 -每个节点测量

尊敬的 Prema Perumal：

感谢您在 E2E 上联系我们的团队。

理想情况下、要实现该测量、您可以在通道1上使用一个差分探头来测量 EN wrt CGND。 使用其他标准探头、您将测量通道2和3上的 VDDH 和 VDRV 相对于 VSS。

或者、使用2个通道测量 CGND 和 EN 对于 VSS 并使用数学函数来显示 EN - CGND。 然后使用通道3和4测量 VDDH 和 VDRV wrt VSS。

此致、

Jack Hemmesmeier

感谢您的回复、Jack、

我对此芯片有一些疑问、

1)什么是电压浮动?如果电压浮动在0.5V 以上,是否有任何问题?

2)我们将以双向配置使用背对背 MOSFET。如何计算 MOSFET 的总电荷(Qg)？

PREMA PERUMAL,

VROOP 是负载接通时 VDDH 将降低的电压。  较低的 VDDH 将转化为较低的 VDRV、从而使 MOSFET 具有较高的 Rdson。 如果 VDDH 和 VDDM 过低、它将使 UVLO 跳闸、  对于 TPSI3050、该 UVLO 在数据表中定义为 VDDH_UV_F @ 6.9V 和 VDDP_UV_F @ 2.75V。  

总电荷将是单个 MOSFET 上栅极电荷值的两倍。  

此致、

Jack Hemmesmeier

感谢您的回复、Jack、

我们将使用栅极电荷为446nC 的双向背对背 MOSFET (IPTC011N08NM5)。下图显示了所有节点的测量值、但导通时间很长。 我们如何减少这一时间？

Cdiv1和 Cdiv2的计算值均为2uf。 因此、在2线模式下、从 EN 到 VDRV 高电平的延迟为5ms。 我们必须通过使用低值 cdiv 降低延迟,对 VDDH 压降或在 MOSFET 工作模式下的影响是建议选择 tpsi3052与15V 栅极驱动电压与低 cdiv 电容器。

我们在下面附加的图中测试了我们的设计、

1)黄色-EN

2)粉色 VDRV

3) BLUE-VDDH

感谢您的详细答复蒂尔登,

如何测量 VDDHdroop 电压？

您能解释一下我需要将电压探针夹到什么位置吗？

PREMA PERUMAL,

在通道1上测量 VDDH 相对于 VSSS。 (引脚7上的探头、引脚5接地)  

在通道2上、测量 VDRV 相对于 VSSS 的时间、并在该通道上触发。 (引脚7上的探头、引脚5接地)

VDDH 压降将是 VDDH 最低时的电压差和稳态电压差。  

在下面的应用曲线中、我用橙色突出显示了稳态值、即 VDRV 上升后 VDDH 为最低的点。  

此致、

Jack Hemmersmeier  

您好、Jack：

感谢您发送编修。

下面列出了一些其他的开放要点：

1. 根据 TI 计算器计算出 C49 (Cdiv1)和 C50 (Cdiv2)为约2µF。 但是、此电容会在开启 MOSFET 时导致延迟。 因此、我正在考虑使用1µF 电容器。 如果我选择1µF 电容器、对电路(具体来说是0.8V 的压降)的影响是什么？回收时间是多久？

2. 对于 TPSI3050-Q1、如果我选择3线模式组合、那么当 C49 (Cdiv1)和 C50 (Cdiv2)充满电时、VDDP 电流消耗将是多少？ 它是否会持续消耗电流？

3. 3Wire 模式 每当我将 EN_Pin 设置为高电平或低电平 VDDP 引脚消耗电流36mA 时、通常会发生这种情况或不会发生这种情况？

谢谢！

PREMA

Premal Perumal、

1：  根据计算器、将 Cdiv1和 Cdiv2更改为1uf 将导致~0.9V 的压降、且 tRecover 将为53.8us。  

当能量从初级侧传输到器件的次级侧时、器件通过将能量存储在 Cdiv1和 Cdiv2中来工作。 当器件打开负载时、它连接 FET 的栅极电容器 Cdiv1和 Cdiv2。 来自电容器的电荷会移至 FET 的栅极。 根据方程式 Q=CV、电压必须在电荷已降低的情况下下降；电压的下降即为压降。 会缓慢地穿过隔离栅补充电荷。 为电容器充满所需的时间为 tRecover。

2和3. 无论 EN 引脚是高电平还是低电平、TSPI3050都会消耗来自 VDDP 引脚的内容功率。 您观察到的电流是 Rpxfr = 20k 且器件消耗5V 电压时器件的典型电流。 根据数据表、37mA 是电流消耗的典型值。  

此致、

Jack Hemmersmeier