[参考译文] LM25145：如何解决振铃问题

尊敬的 Hale：

是的、大量的振铃反映了不良的布局技术。 发送至原理图、快速入门和布局以供审核。 同时、客户可以查看应用手册 SNVA803 来放置 FET 和输入电容器、以更大限度地减少寄生效应。

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TIM

是的、建议遵循 EVM 布局模板、并参阅应用手册 SNVA803了解功率级布局指南。

在这种情况下、从输入电容器到低侧 FET 源极的返回路径非常长、从而增加了寄生电感、进而导致振铃。 为了缓解这种情况、请考虑使用一个与自举电容器串联的电阻器来降低高侧 FET 的导通速度。 此外、在 SW 和 GND 之间使用 RC 缓冲器也很有用。

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TIM

我可以为该设计查看快速入门计算器文件吗？ 我们可以优化 FET 器件型号以降低噪声。

这取决于 FET、但2.2 -4.7Ω 启动电阻器是一个不错的起点。 对于缓冲器、请尝试使用2.2Ω 和220pF。

该 FET 具有111nC 的超高 Qrr -尝试使用较低的 Qrr 来改善噪声行为、例如 CSD18563Q5A。

请参阅此处的快速入门： https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN-CALC

是的、这是连接、元件放置在低侧 FET 上。 Qrr 是指当高侧 FET 导通时需要向低侧 FET 体二极管提供的电荷。 产生的电流噪声非常大。 在这方面、较低的 Qrr FET 肯定会有所帮助。

使用快速入门计算器检查补偿(确保输入 Cout 的降额值)：

https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN-CALC

PS：请注意、在功率级组件的下方应该有一个实心 GND 平面。 没有 SW 过孔或铜(因为 SW 是具有高 dv/dt 的辐射平面)。 请遵循 LM5145和 LM5146 EVM 中的布局模板以及数据表中的指南。 IC 周围应该有一个针对小信号组件的 AGND 岛、这个岛直接连接到 AGND 引脚并且不与有噪声的 PGND 相连。

此致、

TIM

这可能是电源环路寄生电感和/或高侧栅极环路寄生电感的函数。 检查低侧 FET 的栅极电压、并确保其未达到米勒平坦电压。 查看有关功率级布局(FET 和输入电容)的应用手册 SNVA803、并将 LM5145和 LM5146 EVM 布局作为示例。 此外、将高侧栅极驱动布线作为差分对短而直接地布线到 FET。

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TIM