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[参考译文] TPS54340B:SW 负电压尖峰

Guru**** 2609895 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1371334/tps54340b-sw-negative-voltage-spike

器件型号:TPS54340B

工具与软件:

大家好、团队成员:  

对于 SW 负电压尖峰、数据表仅提及-2V (对于10ns 瞬态)。

我的客户使用大部分小型环路、但 SW 电压尖峰具有高达-5.44V 的电压、持续时间为4ns。 您能帮忙评估此波形的风险吗?

此外、我的客户想知道 SW 限制的原因、SW 引脚上是否有 ESD 二极管、或者只是为了保护该二极管? 我们能否分享该二极管的电压规格?

BR

Emma

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    尊敬的 Emma:

    示波器探头的 GND 环路仍然过高。 请遵循以下附件中的图3。

    e2e.ti.com/.../0042.Understanding-the-Absolute-Maximum-Ratings-of-the-SW-node.pdf

    [报价 userid="278152" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1371334/tps54340b-sw-negative-voltage-spike "]除了、我的客户想知道 SW 限制的原因外、SW 引脚上是否有 ESD 二极管、或者只是为了保护此二极管? 我们能否分享此二极管的电压规格?[/QUOT]

    当高侧 FET 关断时、二极管用于防止同步电流从 GND 流过 FET 器件的体二极管。  

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    尊敬的 Emma:

    是否有任何更新? 谢谢!

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    尊敬的 Emma:

    如果没有其他问题、请点击"Resolved"以关闭该主题。 谢谢!

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    尊敬的 Ben:  

    我的客户仍想知道、该器件在 SW 到 GND 之间是否有等效的串联背对背二极管。

    限制 SW 只能承受-2V/10ns 的条件是什么?

    受 MOS 体二极管限制吗? 请您提供更多相关信息吗? 或者还有另一个 ESD 结构、该结构未显示在方框图中。

    BR

    Emma

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    我的客户仍想知道此器件是否有等效的从 SW 到 GND 的反向双二极管串联。

    我认为 SW 引脚上没有背对背二极管。

    [报价 userid="278152" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1371334/tps54340b-sw-negative-voltage-spike/5284259 #5284259"]

    限制 SW 只能承受-2V/10ns 的条件是什么?

    受 MOS 体二极管限制吗? 请您提供更多相关信息吗? 或者还有另一个 ESD 结构、该结构未显示在方框图中。

    [报价]

    我包含的文档详细介绍了 SW 节点的行为。 由于该器件是异步的、因此当顶部 FET 关断时、肖特基二极管也是"体二极管"。  

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    尊敬的 Emma:

    是否有任何更新? 如果没有、请点击"Resolved"以关闭主题帖。 谢谢!