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[参考译文] UCC27282-Q1:UCC27282QDRQ1 IC 损坏

Guru**** 2502495 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC27282-Q1

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1372787/ucc27282-q1-ucc27282qdrq1-ic-getting-damaged

器件型号:UCC27282-Q1

工具与软件:

我们使用的是 UCC27282QDRQ1。 我们希望 以72V 和250A 的电流运行电机。 我们无法以高于48V 的电压运行 IC。 48V 以上的 IC 和 MOSFET 正损坏。 我已经连接好我们使用的电路。 请验证并建议解决方案。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    嗨、

    感谢您就您有关 UCC27282-Q1的问题联系 TI。

    查看原理图、可以进行一些更改来优化电路。 请查看以下问题和建议:

    1. PCB 上的自举电容器(C1)和 VDD 电容器(C5)尺寸和位置。 这些二极管的位置应尽可能靠近栅极驱动器、应为 X7R 陶瓷电容器、并根据第8.2.2.1节"选择自举和 VDD 电容器"中概述的计算进行调整。

    与 FET 的 Vgs 并联的电容器(C7和 C8)为栅极驱动器增加负载、并延长上升和下降时间。 可以吗?

    3.工作频率和最大占空比是多少? 他们在什么条件下看到这种情况? 它是稳态还是启动等?

    4.在您看到的高负载和输入电压下、您可能会发现过冲超过栅极驱动器的绝对最大额定值。 请 VSS 在这种工作条件下测量 VSS 栅极驱动器引脚上的 HB-HS、HS-HS 和 HO-HS、确保不违反上述规定。

    如有任何问题、请告诉我。

    谢谢!

    William Moore

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    1) 1)我们已经计算了电容器值并在板 上组装了相同的电容器值、但我们在另一个板的参考原理图中看到、他们使用了以 uF 为单位的电容器值、但计算值以 nF 为单位。

    2) 2)这些电容器仅用于仿真目的、而不用于板载。

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    嗨、Ankita、

    nF 是这些电容器更有可能的比例、这是正确的。

    请分享您对上述问题3和4的见解吗?

    此外、为了更好地了解损坏的部件、他们是否能够从每个引脚相对于 VSS、以及从已知良好单元和已知损坏单元的 VDD - HB 获取阻抗测量? 该操作应在 IC PCB 上和工作台上完成。

    谢谢!

    William Moore

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    嗨、Ankita、

    您是否能够解决此问题? 如果是、您能否分享您的调查结果?

    如果没有、您能否提供 IT 状态的最新信息并回答我提出的问题?

    谢谢!

    William Moore

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    嗨、Ankita、

    我将在此时结束该线程。 如果您对此问题还有其他疑问或更新、请随时重新打开并更新此主题。

    谢谢!

    William Moore