工具与软件：
您好！
我是 Venu Gopal。
我已经使用 LM5145-Q1降压开关稳压器 IC 设计了一个直流/直流转换器。 我已针对24V 和20A 输出电流的输出对其进行了设计。 我已使用 LM5145的 ILIM 引脚连接一个值为1.69k Ω 的电阻、将电流限制设置为30A。 现在、当我执行负载测试时、输出电压不是由 LM5145 IC 调节。 当我尝试消耗超过7A 的电流时、电压将降至14V、16V 和18V。 出现这种压降的原因是什么？需要对电路进行哪些修改？ 我连接下面的原理图作为参考。
提前感谢
尊敬的 Timothy：
我已经尝试用220pf 替换电容器、并将这两个电容器都打开、当我尝试消耗超过6A 的电流时、电压仍然从24V 降至19V。 我已经检查了如何根据 EVM 电路将限流电阻从1.69k Ω 更换为422 Ω、并且检查了电压是否从24V 降至16V。 请提供尽可能好的解决方案、以避免压降。
我已经附上了 EVM 原理图和设计原理图、供您参考。
提前感谢。
您能否说明一下它的相关性或取决于 MOSFET RDS (on)、因为设计计算 Excel 中没有给出公式。 请提供使用 RDS (on)计算限流电阻值的公式。
当您从1.69kΩ 降低到422Ω 时、它应该增加4倍。 -您能详细解释一下这条线吗?
输入电压= 60V、出于降额目的、我选择了具有100V VDS 的 MOSFET。 我已使用另一个器件型号为 DMNH10H028SCT 的 MOSFET、其 Qrr 为46.8nc、它能够提供15A - 25A 连续电流、但这是 TO-220封装 MOSFET。 MOSFET 封装是否会对负载电流(输出功率)产生影响？ SIR870DP 是一种 SMD MOSFET。 您能否详细说明一下 MOSFET 的这个 QRR 值对负载电流的影响。
此外、我还在下面附上了我的布局图像。 铜厚为1盎司。
顶层
第二层
第三层
底层
请参阅数据表中提供的公式6、如下所示：
如果是布局、请遵循数据表中的指南、尤其参考 LM5145和 LM5146 EVM 布局。
例如：
