工具与软件：
尊敬的 TI：
如果您遇到我们基于 TPS63070芯片的 PSU 设计遇到的问题、我们今天给您写信、希望向您寻求帮助。
设计概述
我们的 PSU 设计利用 TPS63070芯片将来自电池电源(4V 至6V)的输入电压转换为4.8V (负载约为3.5W)的稳定输出电压。
EMI 问题
我们观察到、在升压模式下运行时、PSU 会产生更高水平的辐射发射。 为缓解此 EMI 问题、我们尝试了以下措施：
添加缓冲器：虽然不是我们电池供电应用的理想解决方案、但我们尝试在设计中添加缓冲器。 这在升压模式下使辐射发射有所改善、但在降压/升压转换点附近产生的影响极小。
4层 PCB：我们还过渡到了4层 PCB、以改进布局和信号完整性。 这同样导致在升压模式下降低了一些 EMI、但并未解决降压/升压转换点附近的问题。
此外、我们注意到、在输入端添加电解电容器(3300uF)时、所有输入电压下的辐射发射都略有增加。
EMI 评估
我们使用放置在屏蔽盒附近的 ISM 频段收发器的 RSSI 值来评估辐射发射的相对水平。
请求协助
鉴于 EMI 持续存在、尤其是在降压/升压转换点附近、请协助您确定和实施有效的 EMI 缓解策略。
我们重视您的专业知识、并期待您在解决此 EMI 问题时及时作出响应和提供指导。
感谢您投入宝贵的时间给予大力支持。
此致、
Maksym
您好、Tao、
比较
3D 视图
我们使用各种缓冲器配置进行了实验、在将2.2nF 电容器和2R 电阻器连接 到 开关节点 L2的情况下获得了最佳结果。 但是、我们仍然观察到降压/升压边界处的噪声显著增加(Vin≈Vout)。
此致、
Maksym
尊敬的 TAO：
感谢您的及时响应。
该问题确实存在于低于1GHz 频率。 如前所述、我们已观察到收发器的 RSSI 性能下降。 为了进一步说明这一点、我们附上了测试结果、比较了未使用缓冲器时和连接在 L2上的缓冲器时的性能。
此致、
Maksym
您好、Tao、
以下是您请求的测试结果(无缓冲器)。 如果没有1500uF 电容器、情况会有所改善。
我们遵循了 slyp680中的布局建议。
如果您提供适当的建议、我们愿意修改我们的设计、因为获得良好的 RSSI 值对我们很重要。
此致、
Maksym
您好、Tao、
在不同输入电压下对4层电路板进行了重复测试：
步骤1：初始 BOM
第2步：C31=2.2nF、R24=2R
第3步：C31=2.2nF、R24=1R
第4步：c31=2.2nF、R24=1R、L=2.2uH
正如我之前提到的、这么大的缓冲器对于我们来说并不理想、因为它会将效率降低5%。
注意:在几天前的一条消息中,我意外地发送给您一个2层板上的缓冲器测试结果。
此致、
Maksym
