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[参考译文] UCC27624：在栅极驱动器输出上引入延迟

admin
Guru**** 1828310 points
Other Parts Discussed in Thread: ISO7760
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1376843/ucc27624-introduce-delay-on-gate-driver-output

器件型号：UCC27624
主题中讨论的其他器件：ISO7760

工具与软件：

尊敬的专家：

我们使用 UCC27624DR 驱动低侧 N 沟道 MOSFET、这些 MOSFET 可驱动高电压和电流接触器(900V/500A)。

在各种接触器之间、我们希望引入50-100ms 范围内的一些开关延迟、以便抑制的浪涌电流

接触器会随着时间的推移而分布(不会同时加倍)。

我的问题是、最好在 UCC27624DR 的其中一个输出(OUTA 或 OUTB)上放置一个强大的 RC 滤波器、以便实现

将一个 MOSFET 的激活延迟50-100ms？ 遗憾的是、从数字电路建立延迟是不可能的。

谢谢！

此致、

Andras Magyar

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    TI__Guru**** 1828310 points
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    安德拉斯、您好！

     在设计中包含 Cgs 电容器的情况并不少见、如果使用栅极电阻器、这会有效地生成 RC 滤波器。 Cgs 电容器用于绕过米勒注入、但它也会增加上升/下降时间(与栅极电阻类似)。 由于两个 FET 均用于低侧应用、因此一个 FET 的延迟可以大于另一个 FET。

    谢谢！
    Rubas

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    TI__Guru**** 1828310 points
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    尊敬的 Rubas：

    感谢您的回答。 那么我为栅极添加了一个更强大的滤波器、如下所示：

    我根据低通滤波器上升时间(R=10k、C=2.2uF)计算了上升时间、并忽略了一个位

    MOSFET 的开通时间、因为相对于该~50ms、它相对较小。 你怎么看？

    谢谢！

    Andras

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    TI__Guru**** 1828310 points
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    安德拉斯、您好！

    这是美国本周的假日、因此响应将会延迟。 我们的团队将在下周早些时候与您联系。

    此致、

    Daniel

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    TI__Guru**** 1828310 points
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    安德拉斯、您好！

    感谢您的耐心。 您是否可以共享完整的原理图和系统特性(VDD、 输入 dv/dt 和开关频率)？ 虽然理论上上升/下降时间可能较长、但不建议过长、因为这可能会导致开关损耗并损坏功率器件。 我看到您在最初的文章中解释了推理、但您能否更详细地谈谈您为什么需要如此长的上升/下降时间？

    谢谢！
    Rubas

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    TI__Guru**** 1828310 points
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    安德拉斯、您好！

    只需跟进、看看您是否需要任何其他帮助。

    谢谢！
    Rubas

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    TI__Guru**** 1828310 points
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    尊敬的 Rubas：

    很抱歉耽误你的时间。

    关于功率损耗/不确定状态、我也想到了同样的问题。

    我认为是的、最好将 RC 滤波器放在栅极驱动器前面、如下图所示。 你同意吗？
    请查看延迟线路的 INA 部件：

    谢谢！

    Andras

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    TI__Guru**** 1828310 points
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    我忘记提一下、CONT_LOW_ISO_DRV 信号来自 ISO7760 TI 数字隔离器的输出。

    此致、

    Andras

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    TI__Guru**** 1828310 points
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    安德拉斯、您好！

    与增加输入信号延迟相比、建议使用栅极电阻来调整上升/下降时间。 数据表中提到了这一点：

    不过、无论如何、建议在输入端添加一个小型 RC 滤波器。

    谢谢！
    Rubas

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    TI__Guru**** 1828310 points
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    尊敬的 Rubas：

    谢谢、我理解。

    因此、如果延迟约50ms、对于以下 MOSFET、您建议使用多大的电阻器：

    https://www.onsemi.com/download/data-sheet/pdf/ncv8406-d.pdf

    问题是、我没有看到仅此 MOSFET 上升时间的总栅极电荷值、但我检查了一个类似的 MOSFET

    其总栅极电荷(Qg)/900pF 为15nC、栅极电阻约为1.5Ohm。

    因此、如果我使用公式 RC 时间常数、其中 R=10MOhm、Cg=900pF、并且通常4RC 足以激活栅极

    然后4RC = 4 * 10M Ω* 900pF = 36ms、仍然不是50ms、并且现在为10M Ω。

    您认为它是现实的、还是我犯了一些错误？

    谢谢！
    Andras

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    TI__Guru**** 1828310 points
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    是的、我忘记回答为什么需要很长的上升时间：
    因此、我们使用这些驱动器/型号来驱动高电压/电流接触器、并希望改变不同接触器的导通状态、以减少接触器线圈的大量浪涌电流。

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    TI__Guru**** 1828310 points
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    安德拉斯、您好！

    您可以添加一个外部 栅源电容 、有助于进一步减慢上升/下降时间。 这也将有助于将栅极电阻降低到更合理的值。 同样、由于我们的栅极驱动器专为快速开关而设计、我建议对您的系统进行长上升/下降时间的全面测试、以确保不会发生损坏。

    谢谢！
    Rubas

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    TI__Guru**** 1828310 points
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    您好！

    如您所说、我发现将 RC 放在栅极上风险太大、因此我想我会将它放在栅极驱动器的前面、并让驱动输入的隔离器为栅极驱动器的输入充电。

    谢谢！

    Andras