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[参考译文] BQ25798：肖特基势垒二极管

admin
Guru**** 1815690 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25798EVM
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1392087/bq25798-schottky-barrier-diodes

器件型号：BQ25798

工具与软件：

为了减少开关期间的下冲、将在 SW1和 GND 之间以及 SW2和 GND 之间插入以下肖特基势垒二极管。
・ROHM RB160VAM-40
  www.rohm.com/.../rb160vam-40-product

您能给我们讲一讲要插入的肖特基势垒二极管(SBD)的要求和选择标准吗？
请说明是否根据充电条件正确选择了 SBD。

充电条件如下。

VAC1输入：12V
VAC2输入：5V
充电电压：7.2V
CC 充电电流：1000mA
截止电流：120mA
输入电流限制：1600mA


VAC1输入：12V
VAC2输入：无(仅 VC1输入)
充电电压：8.0V
CC 充电电流：1300mA
截止电流：160mA
输入电流限制：1150mA

此致、
Kagawa

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    TI__Guru**** 1815690 points
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    尊敬的 Kagawa：

    二极管需要尽可能靠近 SW 和接地端放置(如果可能、不要使用过孔)、二极管应具有低反向恢复电流。  

    此致、

    Jibin

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    TI__Guru**** 1815690 points
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    尊敬的 Jibin-San：

    我相信、该肖特基势垒二极管的性能与为 BQ25798EVM 的 D4和 D8保留的 MBR130T1G 相当。
    反向恢复电流写在数据表中、如下所示、因此可以放心地假设可以更换 RB160VAM-40、对吗？
    如果您有任何疑问、请告诉我您的意见。


    ・MBR130T1G (BQ25798EVM D4、D8)：

    ・RB160VAM-40：


    此致、
    Kagawa

  • 0
    TI__Guru**** 1815690 points
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    尊敬的 Kagawa：

    换用应该没有问题。

    此致、

    Jibin