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[参考译文] TPS28225:用于 TEC 操作的 TPS28225

Guru**** 2502205 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS28225

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1369372/tps28225-tps28225-used-for-tec-operation

器件型号:TPS28225

工具与软件:

您好!

我使用 TPS28225DRBR 来控制 TEC、下面是我创建的电路、我能够设置更低的温度、但不能设置更高的温度、这意味着 HOT 不工作。

Lgate 引脚上的这个电阻器是否错误? 请提供建议

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    如果我给下部桥提供 PWM、电机运行良好、但如果上桥的 PWM 无法正常工作、即使我也能看到没有 TEC 的良好 PWM 脉冲、那么一旦我连接 TEC、就没有上电负载、那就会出现什么问题?

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    嗨、

    感谢您就您关于 TPS28225的问题联系 TI。

    对于 LGATE 上的栅极电阻器、3.3Ohm 值应可接受。 LGATE 上的100k Ω 下拉电阻通常放置在栅极电阻的另一侧、该侧用作 MOSFET 的栅源极。 但这不应该导致 UGATE 无法运行,我看不到它的位置有任何重大问题。

    有一点我注意到、我没有看到 VDD GND 的旁路电容器。 如下所示、数据表中的第8节"电源建议"对此进行了介绍。

    我们建议该旁路电容器至少比自举电容器(引导相位)大10倍、并且为陶瓷 X7R 型电容器。 它还应尽可能靠近驱动器。

    您看到它在什么温度水平停止工作? TPS28225的热关断特性在第6.3.8节"热关断"中进行了介绍、其中在160°C 时禁用驱动器

    您能否分享示波器波形捕获、以及在 UGATE-PHASE、BOOT PHASE、LGATE-GND 和 LGATE-GND 进行的测量结果 VDD?

    另外、您的操作条件是什么、例如总线电压、开关频率、占空比和功率输出? 在稳态条件下或启动条件下、是否会出现 UGATE 未运行的此问题?  

    如果您有任何问题以及您对上述问题的回答、请告诉我。

    谢谢!

    William Moore

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    您好、William、

    感谢您的答复!!

    为了详细说明这个问题、我将使用两个 H 桥(TPS28225)器件 、U26连接至 Q3/Q4、U28连接至 Q7/Q8。

    当我为 U26提供 PWM 时、Q3/Q8正常工作、TEC 正常工作、当我为 U28提供 PWM 时、Q4 GATE 接收5.5V 振幅的 PWM、但不驱动负载、如果我断开 GATE 处的负载脉冲良好、当连接至负载时、有一个脉冲上升0.2% DUT 周期、然后再次返回到 GND、这意味着 GATE 无法打开、看起来像负载一样、 请告知可能是什么问题。 我缺少什么吗?

    关于 VDD 的电容器、我确实有板载。

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    嗨、

    VDD 上的电容需要具有合适的大小并位于栅极驱动器中。 我确实看到原理图中的100nF 和220uF (C8和 C9)对于 VDD 的储能非常有用、但 VDD 上的本地旁路电容器对于栅极驱动器的正常运行非常重要。

    高侧栅极取决于电平转换器和高侧偏置、后者需要 VDD 电容来为该栅极驱动提供电流。

    请提供示波器图、以帮助我更好地了解您看到的内容。

    如有任何问题、请告诉我。

    谢谢!

    William Moore

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    您好、William、

    我只将 C8和 C9用于两个驱动器、在布局中看到、它靠近 U26但离 U28很近、是否需要在 U28的 VDD (靠近 U28)处使用另一个电容器?

    我将示波器迹线连接到 U28高侧栅极、当栅极脉冲下降后、它会升温。

    谢谢!

    Manmohan

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    嗨、Manmohan、

    是正确的、您需要将另一个电容器尽可能靠近 VDD 放置。 值为1uF 的陶瓷 X7R 电容器应该就足够了。 U26和 U28上都需要执行此操作。

    从示波器捕获中可以看到、没有足够的本地存储来维持输出驱动电流。 这就是 VDD VSS 的1uF 旁路电容器的用途。

    谢谢!

    William Moore

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    尊敬的 Williams:

    我已按照您的建议在 U28 Vdd 安装了220uF、但行为仍然相同。

    谢谢!

    Manmohan

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    嗨、Manmohan、

    对于此应用、220uF 的值非常大、请尝试更接近1uF 的值。

    您是否也可以捕获1个 HI 脉冲?

    仅供参考、这里有一个常见问题解答、概述了 TPS28225输入的一些注意事项。

    [常见问题解答] TPS28225:TPS28ECG 的三态 PWM 输入在设计时有哪些注意事项?

    谢谢!

    William Moore

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    您好、William、

    我也使用4.7 μ F、但仍然是一样的。

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    嗨、Manmohan、

    您是否能够共享我先前请求的波形捕获以及您的布局?

    谢谢!

    William Moore

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    尊敬的 Williams:

    波形与我之前发送的波形类似。 随附的是原理图和布局。

    我在同一个板上使用类似的电路进行其他 TEC2操作,这对于热和冷都很好 ,但我使用不同的 MOSFET (ONSEMI_FDMS3606S )。

    对于这一不能正常工作的技术1、我使用的是 MOSFET (TRANS_IPC100N04S5-1R9)、甚至我已尝试按照您的建议将4.7uF 靠近 U28 Vdd、但它仍然相同、在其他电路配置中具有不同类型的 MOSFET、它可以正常工作。

    如有任何疑问、请提供建议。

    谢谢!

    Manmohan  

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    嗨、Manmohan、

    借助此器件的三态输入 PWM 功能、栅极驱动器的 PWM 信号至关重要。 您能否捕获几个波形、一次捕获显示几个周期、一次放大以详细显示上升沿、一次放大以详细显示下降沿?

    另一个重要部分是确保引导阶段在此时已满足 UVLO 要求。 那么、您可以共享一个显示 UGATE 相位、引导相位、PHASE-GND 和 LGATE-GND 的捕获信息吗?

    如果您担心 R86/R96、可以将其移除。

    谢谢!

    William Moore

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    嗨、Manmohan、

    您是否能够解决此问题? 如果是、请告诉我您的分辨率是多少。

    如果没有、请向我提供最新进展情况、同时请回答我的上述问题。

    谢谢!

    William Moore

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    您好、William、

    感谢您的跟进!!

    目前我正在使用其他 MOSFET (ONSEMI_FDMS3606S ),具有相同的电路/相同的布局-其工作正常。

    抱歉、我忙于我的项目、因为我需要生成数据、因此无法提供您要求的项目。

    我稍后将提供这些项目。

    谢谢!

    Manmohan

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    嗨、Manmohan、

    感谢您的更新。 请在可能的情况下提供信息、以便我们帮助您解决此问题。  

    谢谢!

    William Moore

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    嗨、Manmohan、

    您是否能够收集这些信息以便我可以帮助您解决此问题?

    谢谢!

    William Moore

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    嗨、Manmohan、

    我现在要结束此主题、前提是您已经解决了这个问题。 如果需要更多帮助、请回复并重新打开该主题。

    谢谢!

    William Moore