[参考译文] CSD13381F4：什么 TI NMOS 具有最低的 IDSS 并采用手工焊接封装？

Falk、

感谢您考虑我们的器件。

遗憾的是、picostar 中的这些器件系列是数据表中唯一具有如此低泄漏电流的器件。 其他传统的塑料封装在数据表中将具有100nA IGSS、1uA Ids 类型的规格。

但是、我们也许有一个解决方案、鉴于这些器件不是最易于操作的、我们开发了一个具有各种不同器件的 EVM、这些器件已安装到此处的子卡上： https://www.ti.com/tool/CSD1FNCHEVM-889#tech-docs

虽然此 EVM 上没有 CSD13381F4、但 CSD13380F3更小且电阻比 CSD13881F4更低、漏电流更低、IDSS 为50nA、IGSS 为25nA。

关于温度范围内的特性、我们在网上有一份应用说明、 其中包含了所有 MOSFET 技术内容：www.ti.com/.../slvafg3f.pdf、其中有几篇文章可供您阅读、这些文章包括：

1. 第4节技术文章：您的 MOSFET 包含哪种类型的 ESD 保护？  
2. 第4节技术文章：功率 MOSFET 数据表中未包含的内容、第1部分：温度依赖性
3. 第4节技术文章：功率 MOSFET 数据表中未包含的内容、第2部分：电压相关性

谢谢

Chris

感谢你的 评分 在"功率 MOSFET 数据表第1部分中没有的内容：温度依赖性"一文的图4中、作者提供了温度范围内的 IDSS 图、但将单位测量排除在外。 这些不适用？ 再次感谢。 ~Falk

Falk、

由于每个器件略有不同、我们对曲线进行了归一化处理、因此您只需将 Y 轴上的数字相乘即可了解温度下的泄漏会是多少。 因此、在图4中、您将看到从25°C 到85°C 的 IDSS 大约增加了70倍。 每个制造商的所有 FET 都是如此、这基于器件物理原理。

这不是一种保证、而是会给出指示、而 FET 的行为往往类似。

实际上、Ids 的@ 25°C 通常小于50nA、而不是100nA 的数据表限值、因此 @ 85°C 时、泄漏电流通常为~μ A <50nA * 70 =<3.5uA。

@最大 BVdss 的80%的特性数据显示最大值<10nA @ 25°C。 此外、如果器件上的电压低于最大 BVdss 的80%、那么这还会多少减小泄漏、这可以在上面提到的与电压相关的应用手册中找到。

我们不能保证此区域中的数字、仅供参考。

谢谢

Chris