[参考译文] CSD88599Q5DC：我想消除电机驱动器中的 MOSFET 振铃。

JH：

感谢您浏览我们的设备,我们的 MOSFET 应用程序人员将在美国时间周三之前离开,并将为您的具体问题提供任何进一步的答案,此外,如果您有更多的问题,我将尝试在这里回答一般信息。

通常、对于任何环还原技术、采用的方法很少、常见的方法有：

1. 栅极电阻器、用于减缓 MOSFET 的导通和关断-数据表仅建议使用高侧、因为这种更快的 dv/dt 在高侧会引起振铃。 正是这种快速开关的高侧 FET 激发了低侧的体二极管、引起振铃。 因此、在低侧添加一个电阻器不会有所帮助、并可能导致不必要的 cdv/dt 导通出现问题。 前几页中的此应用手册提供了相关说明： https://www.ti.com/lit/an/slpa010/slpa010.pdf
2. 在开关节点处施加外部缓冲器-数据表第15-17页中关于建议缓冲器的详细信息。
3. PCB 布局-详细信息在数据表和数据表 https://www.ti.com/lit/ds/symlink/csd88599q5dc.pdf 中提供

最后、确保正确测量开关节点非常重要、您使用的探头可能会对您在示波器上看到的结果产生很大影响。 最好使用差分探头、或者如果使用了单端探头、您需要确保其具有尽可能短的组环路、同样在此处提供了本应用手册第4页中的信息： https://www.ti.com/lit/an/slpa010/slpa010.pdf

还有另一个技术文章,关于您正在查看的设备类型: https://www.ti.com/lit/ta / sszt955/ sszt955.pdf ,这也有一些关于使用此设备的其他提示。

本应用手册和其他 MOSFET 技术数据、计算器工具和提示都包含在他的应用手册中： https://www.ti.com/lit/an/slvafg3f/slvafg3f.pdf 、我希望您在使用 MOSFET 时可以找到许多其他提示。

再次感谢您考虑使用我们的器件

Chris