请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号:BQ76952EVM Thread 中讨论的其他器件: TIDA-010074
工具与软件:
尊敬的 TI 团队:
浏览 BQ76952EVM 的设计文件、我可以看到在放电 MOSFET 的 FET 连接页面中使用了 N 沟道 MOSFET。 研究电路图后、我发现它用于 在充电器接通时提供反极性保护。 需要了解具体的工作原理以及是否有其他方法可以实施保护?
随附了图像以供参考。
在充电器反极性的情况下、Q10的工作原理是什么? 研究后发现、在参考设计 TIDA-010074中找到了类似的电路。
TIDA-010074中使用的电路与这里的电路相同、但它包括另一个用于充电 MOSFET 的电路。 涉及充电 MOSFET 的电路使用 P 沟道 MOSFET。 该电路的工作原理是什么?
作为参考、
谢谢!
Naveenkrishna V.