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[参考译文] BQ24250C:BAT 输入和 VSYS 输出之间具有高电阻

Guru**** 2387830 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ24250C, BQ24250
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1388098/bq24250c-high-resistance-between-bat-input-and-vsys-output

器件型号:BQ24250C
Thread 中讨论的其他器件: BQ24250

工具与软件:

我们有一个 BQ24250C、可用作我们系统中的电池充电器和 PMIC

我们看到的是、VSYS 电压会周期性地降至<2VDC、这种情况会持续~100mS

在某些情况下、VSYS 根本不受影响、在其他情况下、我们会产生压降

此状态已通过使用示波器监控 VBAT 输入进行验证、同时我们也会监控 VSYS:VBAT 不受影响、VSYS 会下降:

我们的系统使用外部电路来控制 EN2信号的状态。  目的是禁用进入 BQ24250C 的外部直流电源。

我们注意 BQ24250C 具有睡眠模式:我们怀疑 BQ 在我们没有压降时处于睡眠模式(VBAT 通过内部 FET 连接到 VSYS)。 并且在问题发生时我们没有处于睡眠模式

请告知此处可能发生的情况

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Charles:  

    感谢您通过 E2E 联系我们。 我们正在努力进一步调查所报告的行为。  

    您能帮助回答几个问题吗?

    -为了澄清您在 VSYS 通过电池供电时看到~100ms 的下降? 或者当 SYS 由 IN (输入电源)供电时是这样吗?  

    [报价 userid="614763" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1388098/bq24250c-high-resistance-between-bat-input-and-vsys-output 我们注意到 BQ24250C 具有睡眠模式:我们怀疑 BQ 处于睡眠模式(VBAT 通过内部 FET 连接到 VSYS)时没有压降。 并且在问题发生时我们未处于睡眠模式

    鉴于这种可疑情况、您是否检查了故障寄存器(REG00)的状态是否存在睡眠故障? 如果可能、您可以获取除 VSYS 和 VBAT 之外的显示 Vin 的波形?

    此致、

    Garrett  

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    我们已经确定、为了响应在 VSYS 电压上进行短路检测、BQ24250C 在 BAT 和 VSYS 线路之间的连接上会开路

    当 VSYS 降至检测到短路的电压以下时、会发生这种情况。

    我们需要知道 VREF_MINSYS 和 VMENSYS 电压的值(请参阅 数据表第15页的功能方框图)

    我们看到、BQ24250C 此时在70mS 内打开了 VBAT 和 VSYS 之间的连接。

    在第10页上、 由于没有说明上限和下限、并且内部时钟上的规格具有3.0MHz +/-10%、因此输出短路的恢复时间标称值为64mS (由 BQ24250C 中的内部快速 RC 振荡器控制)。

    我们通过在 VSYS 输出上施加一个未充电的220uF 电容器、成功地引发了电压压压降行为、并看到芯片通过创建相同的短路脉冲进行响应。

    我们需要解决该问题的其余一项信息是 BQ24250在 SYS 输出上检测到短路的电压

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    尊敬的 Charles:  

    感谢调试当前状态的详细说明。  

    解决此问题所需的其余一项信息是 BQ24250在 SYS 输出上检测到短路的电压

    如果 VSYS 降至低于 VBAT 300mV、则会触发短路保护。  

    此致、

    Garrett